MACOM GaN製品リサイクル:GaN MMICs,GaN パワーアンプ
シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,中国の主要な電子部品リサイクルサービスプロバイダーとして,業界での豊富な経験と世界的なリサイクルネットワークを活用し,プロのリサイクルサービスを提供しています.クライアントに資産の最適化とキャッシュフローの改善を支援する.
リサイクル製品には以下の製品が含まれます.5Gチップ,新しいエネルギーIC,IoTIC,BluetoothIC,車両ネットワークIC,自動車級IC,通信IC,人工知能ICなど. さらに,同社はメモリIC,センサーICマイクロコントローラーIC,トランシーバーIC,イーサネットIC,WiFiチップ,ワイヤレス通信モジュール,コネクタ,その他の電子部品
リサイクルプロセス:
1電子部品の在庫を処分する必要がある場合は,販売したいIC/モジュールをリストするメールを送信できます.
2当地でのリサイクル: 当社は専門的なスタッフを派遣し,当地での電子部品の在庫を収集し,部品の予備試験と分類を行います.
3代引: 会社は,リサイクルされた部品の種類,量,品質などの要因に基づいて,対応するリサイクル価格を提供します.
4決済:両者が合意に達した場合,特定の取引方法が配達のために交渉することができます.
MACOM ガリウムナトリド MMIC製品
MACOM の GaN MMIC 製品ポートフォリオは,業界の最先端のパフォーマンスを表しています. GaN-on-SiC (シリコンカービッドベースのGaN) と GaN-on-Si (シリコンベースのGaN) プロセス技術を採用することで,MACOMは,段階配列レーダーから衛星通信,精密テストおよび測定機器まで,次世代のシステムアーキテクチャをサポートしています..
MACOM の GaN MMIC 製品には主に以下のカテゴリが含まれます.:
GaN分布式アンプ
超幅帯の性能: DCから40GHz以上の周波数帯をカバーし,優れた増幅平坦性 (典型値は±1dB以内)電子戦争などのアプリケーションのブロードバンド要件を満たす,ブロードバンド通信,テストと測定
高電源密度:高分解電圧の特徴を利用して,同じチップ領域で従来のGaAsデバイスよりも3~5倍高い出力を出力します.典型的な電力の密度が4〜6W/mmに達する
優れた線形性:OIP3は通常35dBmを超えており,複雑なモジュール信号の高信頼性増幅に適しています
温度安定性:内蔵された温度センサーと補償回路は, -40°Cから+85°Cの幅広い温度範囲で安定したパフォーマンスを保証します
コンパクトパッケージ:主にQFNまたはセラミック表面マウントパッケージを使用し,システム統合を容易にするためのコンパクトサイズ
ガリウムナイトライド フロントエンドモジュール
高度な統合設計:単一モジュールは送信/受信機能 (LNA,PA,スイッチなど) を統合し,ボードスペースと相互接続損失を削減する
優れた電力効率: 総効率は30~45%までで,システムの電力消費と熱需要を削減する
ブロードバンドカバー:UHFからKaバンドまでの複数の周波数帯構成をサポート
高線形性能:最適化された回路設計は,優れたACLRとEVMメトリクスで,複雑なモジュール信号の下でのモジュール線形性を保証する
システム設計の簡素化:内蔵マッチングネットワークとバイアス回路は外部のコンポーネントの数を減らす
これらの高級のGaN MMIC製品は,5G通信ベースステーション (特にミリ波帯の大規模MIMOアクティブアンテナシステム) で一般的に見られます.軍事用レーダーシステム (X帯とKu帯の相列レーダーのためのTRモジュール),衛星通信端末 (持ち運び可能な装置や車載装置) と,重要なアプリケーションにおける電子対策機器.
MACOM GaN パワーアンプ
GaN電源増幅器は,MACOMのMMIC製品ラインで最も技術的に先進的でアプリケーション価値のある製品カテゴリーです. These products fully leverage the high breakdown field strength and high electron saturation velocity characteristics of GaN material to achieve high power output and efficiency in the microwave frequency band that traditional semiconductor materials struggle to match.
MACOM GaN パワーアンプの主なタイプ:
技術性能特性
高出力:C帯では数百ワットのパルス出力,X帯では数十ワットの連続波出力電力密度がGaAsとSi LDMOS装置よりも著しく高い
高効率の操作: ハーモニックチューニングやエンベロープ追跡などの先進技術を使用し,50~60%のパワー追加効率 (PAE) を達成する.システムエネルギー消費を大幅に削減する
幅広く帯域の機能:瞬間の帯域幅は中央周波数の10〜15%に達し,幅広く帯域の信号増幅をサポートし,周波数帯の切り替えの必要性を軽減する
高信頼性: 障害までの平均時間 (MTTF) は100万時間を超え,航空宇宙および防衛アプリケーションの厳しい要件を満たしています
温度安定性:高温での性能低下が最小で,225°Cまでの交差点温度操作範囲で,高電力密度のアプリケーションに適しています
典型的な応用分野
レーダーシステム: 軍事火力制御レーダー,気象レーダー,航空交通管制レーダーのための最終段階の電源増強,検出範囲と解像度を向上させる
5Gマクロベースステーション:3.5GHzおよび4.9GHz帯の高電力遠隔無線装置 (RRU),高効率のGaNPAによりベースステーションのエネルギー消費と運用コストを削減する
衛星通信: Q/V帯で高速衛星通信をサポートする地上ステーション用高性能増幅器 (HPA)
電子戦争システム: 敵の通信とレーダーシステムの効果的な抑制を可能にする高性能妨害送信機のコア部品
工業用暖房:材料加工および食品加工産業などで使用されるマイクロ波エネルギー用途の電力源
コンタクトパーソン: Mr. Sales Manager
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