会社ブログについて リサイクルTIパワー段:GaNパワー段、Siパワー段

リサイクル TI パワーステージ:GaN パワーステージ,Si パワーステージ

シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.電子部品のリサイクル分野に長年専攻しており,中国で在庫ソリューションの主要プロバイダーです.世界中で幅広い電子部品とチップの高価値の現金リサイクルサービス効率的で安全で透明性の高い在庫清算と空置物庫管理サービスをサプライチェーンのあらゆる段階の顧客に提供します

買い戻し サービス の 主要 な 利点

1高額の購入価格と競争力のある価格設定

グローバル市場データベースと プロフェッショナル評価チームを利用して 現状のチップ市場状況を反映した リアルタイムの報定を提供します中介者からの増額なし,即時現金決済オリジナル機器メーカー (OEM),エージェント,エンドユーザー工場,ディストリビューターとのパートナーシップを歓迎します.

2仕様制限なしの全面的な買い戻し

フルロールストック: 元のパッケージで高価なチップの買い戻しを優先します.

廃品と廃品: プロジェクトから採取されたサンプル,廃品,使用終了製品,余分な材料を受け付けます

どんな条件でも オープンしていない新品 オリジナル部品 壊れた機器から完全に機能する部品

3効率的なプロセス,安全で準拠性

要求の調整:顧客は部品番号,量,バッチ番号,条件のリストを提示する.

速報 (Rapid Quotation): 1~2時間以内に発行される正確な報價

検査と承認: 現地検査またはサンプル試験,現場で確認

迅速な決済: 決済が成功するとすぐに現金または銀行振込で支払われる.

4グローバルサービス 柔軟なソリューション

本社は深?? に本社を置き,国内外の両方の市場をカバーしています.当サイト回収,無料宅配配送,国境を越えた取引をサポートしています.プロセス全体を通して絶対的な機密性を保証します顧客のプライバシーを保障し 業界関連リスクを除去します

TIのパワーステージ製品は,GaN統合パワーステージとSi (シリコンMOSFET) 統合パワーステージの2つの主要製品ラインに分かれています.どちらもマルチチップ統合ソリューションを使用しています.電源スイッチを組み込む,ゲートドライバ,電流検出および保護回路を1つの装置内に組み込み,直接完全なスイッチユニットを供給します.これは外部部品の数を大幅に削減します.PCBのレイアウトを簡素化するサーバーの電源,産業用電源,自動車の電源システムなど,様々な電源変換シナリオに適しています.人形ロボット電源装置と電信電源.

I. TI GaN 電源段階 (ガリウムナイトリド統合電源段階)

TI GaN電源段階は,シリコンベースのGaN (GaN-on-Si) 強化モードのGaN FETプロセスを用いて開発され,広帯域電源統合装置に分類される.典型的なモデルは,LMG3410R050, LMG5200, LMG708B0とDRV7308で,80Vから650Vまでの電圧をカバーし,半橋,フルブリッジ,三相IPMアーキテクチャを選択できます.

主要 な 特徴

1ゼロリバースリクエストチャージ:GaN FETは,シリコンMOSFETのボディダイオードに存在するリバースリクエスト効果を示さない.従来のシリコンMOSFETと比較して,切り替え損失は最大80%削減できます,MHzレベルでの高周波スイッチをサポートし,インダクタとコンデンサのサイズを削減し,電力密度を大幅に改善します.

2高度に統合されたオンチップドライバー: GaN電源装置,ゲートドライバー,オーバー電流,オーバー温度および低電圧保護,および電流検出を1つのパッケージに統合します.これは,離散溶液のゲートループ寄生性誘導によって引き起こされる鳴き声とEMIの問題を排除し,稼働の複雑さを軽減します.

3低寄生容量:最小の入力および出力容量により,スイッチングノードリングが減少し,EMIフィルタリングコストが低下し,トーテムポールPFCなどのトポロジーに適しています.,高周波LLCと高周波モーターインバーター

4徹底的に検証された信頼性: 装置は400万時間以上の加速信頼性テストを受けています. 高電圧版には包括的な保護メカニズムがあります.工業用および自動車用 AEC-Q100 グレード 1 のアプリケーションなどの高い信頼性の要件を満たす.

典型的な用途

AIコンピューティングサーバーの電源,1Uデータセンターの電源 自動車搭載充電器 (OBC) 工業用高周波電源 ドローンの電源インバーター 人形ロボットサーボドライブ通信基地局の電源高級アダプターも

II. TI Si パワー ステージ (統合 シリコン MOSFET パワー ステージ)

TI Si電源段階は成熟したシリコンMOSFETプロセスに基づい,高端および低端シリコンMOSFET,ゲートドライバおよび電流センサー回路を統合している.彼らはDC-DCステップダウンアプリケーションのためのクラシックな統合電源ステージソリューションを代表します中低電圧,高電流のシナリオを対象としています.彼らは幅広いモデル,制御可能なコスト,成熟したエンジニアリングエコシステムを提供しています.

主要 な 特徴

1成熟したシリコンベースのプロセス:最適化オン抵抗 (Rds(on) を有するシリコンMOSFETを使用します.中低電圧および中低電波のスイッチング周波数アプリケーションで優れた伝導損失性能を提供安定した供給と幅広いデバイスオプション

2統合半ブリッジスイッチユニット: 組み込みドライバー,高端および低端のシリコンMOSFET,およびバックコンバーターのために設計された電流センサーを備えています.これは外部ドライバチップの必要性をなくし,高電流POL (ポイント・オブ・ロード) 電源の設計を簡素化します.

3総合的な保護機能: 統合された過電源保護熱シャットダウンと低電圧ロックアウトは,ショート回路や過負荷などの異常な動作条件に対して強力な保護を提供します..

4周波数制限:シリコンMOSFETのボディダイオードの逆復元により,スイッチ周波数は一般的に数百kHz以内に制限されます.周波数が増加すると,切り替える損失は急速に増加します電力密度を向上させる余地が限られている.

典型的な用途

サーバーのマザーボードのPOL (ポイント・オブ・ロード) 電源;FPGAとプロセッサの電源;産業用制御ボードの電源;セキュリティシステムの電源;電子機器用DC-DCバック変換機自動化機器の補助電源

III. TI GaN 電力段階と Si 電力段階の比較

1周波数交換

GaN電源段階:MHz範囲に達し,高周波トポロジーをサポートする.

Si電源段階:主に10kHzから数百kHzで動作し,高周波では損失が著しく増加する.

2電力密度

GaN電源段階:受動部品の容量は著しく減少し,同じ出力に対して溶液のサイズが小さくなります.

Si電源段階: 消極的な構成要素は比較的大きいため,溶液の電源密度は低い.

3損失の特徴

GaN電源段階:非常に低いスイッチ損失とゼロのリバースリカバリー,高周波高電圧アプリケーションに適しています.

Si電源段階:低周波と中低圧のオン状態損失において優位性があるが,高周波では有意な逆復元損失に苦しんでいる.

4システムコスト

GaN電源段階: 部品の単位価格が高くても,ヒートシンク,EMIフィルター,インダクタ,コンデンサの必要性は減少し,高周波,高電圧全システムソリューション 費用の利点;

Si電源段階:コンポーネント自体は低コストで,低周波,中低電圧のアプリケーションで全体的なBOMをより経済的にします.

5. 適したトポロジー

GaN電源段階:トーテムポールブリッジのないPFC,高周波LLC,三相モーターインバーター,高周波半ブリッジ/フルブリッジ

低周波フルブリッジ