シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltdは,長期リサイクルメモリチップ CY7C1061G30-10ZSXIT 16Mb 急速静的ランダムアクセスメモリとECCで,通常のチャネルソースのみを受け入れ,代理人などトレーダーやターミナル工場などです
製品詳細
CY7C1061G30-10ZSXITは,組み込みECCを搭載した高性能CMOS高速静的RAMデバイスである. デバイスはシングルチップ有効オプションとマルチピン構成の両方で利用可能である.
特徴
高速
tAA = 10 ns/15 ns
組み込みエラー訂正コード (ECC) 単ビットエラー訂正 [1, 2]
低アクティビティと待機電流
ICC = 90 mA (典型的には100 MHz)
ISB2 = 20 mA (典型的な)
動作電圧範囲:1.65Vから2.2V,2.2Vから3.6V,4.5Vから5.5V
1.0 V データ保持
トランジスタ・トランジスタ論理 (TTL) 互換性のある入力と出力
1ビットエラー検出と修正を表示するエラー表示ピン (ERR)
エラー修正
鉛のない48ピンTSOP I,54ピンTSOP II,および48ボールVFBGAパッケージで入手可能
CY7C1061G30-10ZSXIT 製品属性
製品カテゴリ: 静的ランダムアクセスメモリ
メモリ容量: 16 Mbit
組織: 1 M x 16
アクセス時間: 10 ns
インターフェースタイプ:平行
供給電圧 - 最大3.6V
供給電圧 - min: 2.2 V
供給電流 - 最大:110 mA
最低動作温度: -40°C
最大動作温度: + 85 C
装着スタイル:SMD/SMT
パッケージ/ケース:TSOP-54
貯蔵タイプ: 揮発性
湿度感: はい
製品タイプ: SRAM
シリーズ:CY7C1061
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