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ミンジアダのAIサーバー用パワーMOSFETの全製品ラインナップ

AIのコンピューティング能力の爆発的な成長とともに パワーMOSFETは 電力供給チェーンにおける"ボトルネックコンポーネント"になりました

大規模なクラスターの導入が 訓練や大きなモデルの推論に 慣例になっているためAIサーバーのキャビネット1台あたりの電力消費量は GB200プラットフォームの従来の10 kW範囲から100 kW範囲に急上昇しました電力供給アーキテクチャは,従来の12Vバスシステムから48V/800V高電圧直流アーキテクチャに急速に移行しています.電源変換段階の数が増加し 臨時電流が倍増するにつれてMOSFETの電力需要と性能要件が著しく増加しています.業界推計によると 単一のAIサーバーは 従来のサーバーの3倍から5倍の電力半導体を使っていますAIサーバーキャビネット内の電力半導体の価値は2030年までに約15,000ドルから115,000ドルに上昇すると予測されている.

この背景で 電子部品のサプライチェーンで 30年近く経験を持つ 認可された独立したディストリビューターである leverages its dual warehousing centres in Shenzhen and Hong Kong and a supply capacity of 2 million stock-keeping units (SKUs) to provide a full range of power MOSFETs from leading international brands—including Infineon半導体,STMmicroelectronics,Vishay,ROHM,RenesasはAIサーバーの電源設計のために使用しています.

Mingjiadaが供給するAIサーバーのためのコアパワーMOSFET製品シリーズ

I. インフィニオン: PFC から IBC までの全チェーンカバー

インフィニオンは,AIサーバーの電力供給チェーンの中で最も包括的な製品ポートフォリオを誇っています.明治田は,以下のコアシリーズをストックから供給しています:

OptiMOSTM 5/6/7シリーズ (中低電圧,25V~250V): 多相バック変換器と中間バス変換器 (IBC) の基本要件をカバーする.その中には,OptiMOSTM 6 80V MOSFET,5×6mm2 の両面熱分散装置を搭載する最新世代のOptiMOSTM 7製品は,IBCアプリケーションに最適化されています.RDS (オン) が 40V バリエントでは25%,80V/100V バリエントでは40%減少したミンジアダは,BSC050N10NS5 (100V/5mΩ) などの人気のAIサーバーIBCモデルを保有している.

CoolMOSTM C7/C8シリーズ (高電圧,600V~950V): AIサーバーCRPS電源のPFCおよびLLC段階に適しています.XT インターコネクト技術で業界トップの熱性能典型的なモデルはSPW20N60C3 (650V/20.7A) は,工業用電源とサーバーPFC回路に広く使用されています..

CoolSiCTM 400Vシリーズ (AC/DC段階専用):第2世代のCoolSiCTM技術に基づくInfineonの400V SiC MOSFETは,AIサーバーのAC/DC段階のために特別に開発されています.100W/in3を超える電源密度と99のPFCステージ効率を可能にする0.5%

ストロングIRFETTMシリーズ: 中低電圧のアプリケーションのためのコスト効率の良いソリューションとして位置づけられ,最大100VのVBRDSS,RDS (オン) は1.2mΩで最大IDは282A,AIサーバーの補助電源やロードスイッチなどのアプリケーションに適しています.

II.ON半導体:PowerTrench® T10 + EliteSiCTM コンビネートソリューション

ON SemiconductorのAIサーバー電源ソリューションは,シリコンベース+シリコンカービッド2線構成で特徴づけられている.最新世代のT10 PowerTrench®シリーズは,シールドゲート溝設計を使用DC-DC電源変換段階の高電流アプリケーションに特化した最適化により,コンパクトなパッケージ内でより高い電源密度と優れた熱性能を提供します.T10シリーズと併用する場合,EliteSiCTM 650V M3S MOSFETは前世代と比較してゲート充電を50%削減し,出力容量エネルギーを44%削減します.これにより,データセンターの電源損失を約1%削減できますさらにONセミコンダクターは,M3S MOSFETとSiC JFETソリューションを利用した12kWのAIクラウドコンピューティングパワーモジュールを導入し,全ユニットで最大98%の効率を達成しました..

半導体のEliteSiCシリーズ (全電圧範囲650Vから1700Vまで) にまた,PowerTrenchシリーズ Nチャネル単一の電源MOSFET,例えばNVMFS5C404NLとNVMFS5C456NL小批量サンプルと大量注文の両方をサポートします.

III.Vishay:TrenchFET® Gen V 低抵抗性ソリューション

Vishay SiRS5700DPは,50V TrenchFET® Gen V Nチャネル電源MOSFETで,PowerPAK® SO-8S (QFN 6×5) パッケージに収蔵されており,RDS (オン) は5以下である.6 mΩ と 336 mΩ·nC の質因数 (RDS ((オン) × Qg)RthJCは0.45°C/W以下で,連続流出電流は最大144Aです.この装置は,特に6kWAIサーバー電源システムの効率要件を満たすために設計され,同期直線に適しています.DC/DCコンバーター,ホットスワップスイッチ,ORの機能.典型的なアプリケーションにはAIサーバー,エッジコンピューティング,スーパーコンピュータが含まれます.ミンジアダは,SiRS5700DPの即時利用と,Vishay TrenchFETの全範囲のパワーMOSFETを提供しています..

IV. ROHM: AI サーバーにおける 48V ホットスワップアプリケーション用に特別に設計された MOSFET

ROHMは,AIサーバーの48V電源ホットスワップ回路のために100V電源MOSFETs RY7P250BMとRS7P200BMを発売しました.RY7P250BMは,VDS=48Vで最大16AのSOA耐性を達成し,パルス幅は10ms1 ms で 50 A まで,電源抵抗は 1.86 mΩ まで低くなっています.より広いSOA範囲と低電源抵抗の間の業界をリードするバランスをとっています.そして,世界的に有名なクラウドプラットフォームによって認定され,推奨されていますRS7P200BMは,高密度の電源設計の要求を満たすコンパクトな5.0mm×6.0mmパッケージで業界をリードする幅広いSOA範囲を達成します.ミンジアダは長年,ROHMのNチャネル電源MOSFETとSiCMOSFET製品を供給してきました.RCX450N20 (200V/45A) などのモデルを含む.

V. STMicroelectronics (ST):MDmeshTMとSTripFETTMシリーズ

STの電源MOSFETは100Vから1,700Vの断熱電圧範囲をカバーしますMDmeshTM高電圧シリーズとSTripFETTM低電圧シリーズを通じて低ゲート充電と低電圧抵抗を達成する典型的なモデルであるSTW48N60M6 (600 V/48 A,0.060 Ω) は,AIサーバのPFC段階および高電圧DC/DC変換に適しています.拡張電圧範囲650V~2200VのST 製品では,超高温 (TJ 200°Cまで) と非常に低い切り替え損失が特徴ですAIサーバーの高効率のAC/DCステージにシリコンカービッドの代替品を提供する.

ミンジヤダの供給保証

本物の製品と豊富なストック:Mingjiadaは世界中の500以上の半導体メーカーから製品を販売しています.すべてのパワーMOSFETは本物で工場密封された製品です.提供されたバッチ追跡サービスシェンゼンと香港の2つの倉庫センターは 200万の部品を保有しており 迅速な"今日注文 明日発送"に対応しています

柔軟な調達とグローバル配送: 小型セットのサンプル購入 (単一の単位から開始) と数百万の生産ラインの注文の両方をサポートします.AIサーバーの電源プロトタイプから大量生産のランプアップまでの全サイクル要件を満たす香港,日本,ロシアなどの支店を通じて,DHL/UPSの国際配送をサポートし,迅速なグローバル配送を保証します.

ミンジアダと連絡する: 公式サイトwww.integrated-ic.comサービスホットライン +86 13410018555 (チェン氏) メール sales@hkmjd.com