会社ブログについて 供給 CML Micro SµRF 製品: GaAs MMIC、GaN 高出力アンプ、ディスクリートFET

供給 CML マイクロ SμRF 製品:GaAs MMICs,GaN 高功率増幅器,離散FETs

シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,世界的に有名な電子部品の認可された独立した販売業者として,顧客に包括的な電子部品ソリューションを提供しています.業界での長年の経験と安定したサプライチェーンシステムに.

主な製品:5Gチップ,新しいエネルギーIC,IoTIC,BluetoothIC,車内のインフォテインメントシステムIC,自動車IC,自動車級IC,通信IC,AIIC,メモリIC,センサーIC,マイクロコントローラーICトランシーバーICイーサネットIC,Wi-Fiチップ,ワイヤレス通信モジュール,コネクタなど

供給上の利点

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I. GaAs ミックス・メディア統合回路 (MMICs): 高統合,幅広くRFコア

CML Micro SμRFシリーズのGaAs MMICは,ガリウムアルセニド (GaAs) 半導体材料を使用して構築された混合メディアの集積回路である.高周波特性が優れたような GaAsの固有の利点を利用する高電子移動性と低騒音値,先進的な集積回路設計と製造プロセスと組み合わせて,RF機能の高度な統合と性能最適化を実現します.伝統的な分離部品の限界を克服する大きさと複雑な配線,高損失などです

このシリーズのGaAsMMICは,低周波からミリメートル波まで幅広い周波数帯をカバーし,30kHzから50GHzまでの超広い帯域をカバーしています.MMA-273336D-M5のような衛星通信と5Gミリ波などのアプリケーションのために設計された特殊モデルで,2733GHzKa帯の高効率なカバーを達成します.衛星通信部門におけるCML Microのフラッグシップソリューションです. 構造設計の観点から言えば,このシリーズは先進的なモノリシック統合技術を使用しています複数のRF機能モジュールを1つのチップに統合するこれは,デバイスのサイズを大幅に削減するだけでなく,外部配線による信号損失を最小限に抑えます.システム全体の安定性を高める.

性能特性に関しては,CML Micro によるGaAs MMICは,高加益,低ノイズ,高線性といった主要な利点を提供します. 5G FR2 バンド (26.5 〜 29.5G FR2 バンド) 向けに設計されたCMX90A702を例に挙げると,5 GHz)この3段階のGaAs MMIC増幅器は,出力量が+25 dBmで,5Gニューラジオ (NR) n257とn261の要件を満たしている.優れた線形性と平らさを獲得しながら信号の歪みを効果的に防止し,高速データ伝送の安定性を保証する.さらに,この製品シリーズは,入力/出力マッチング回路の統合をサポートする.アクティブバイアス回路とDCブロックコンデンサ周辺回路の設計を簡素化し,システム開発の複雑性と生産コストの両方を削減します. サイズに関する厳しい要求のあるアプリケーションに適しています.電力消費と性能衛星通信端末,5Gベースステーション,レーダーシステム,UAV通信など

信頼性に関しては,CML Micro による GaAs MMIC は厳格な環境と性能試験を受けています.高低温,高振動などの厳しい作業条件に耐えられる航空宇宙や防衛などの分野で要求される高い信頼性の基準を満たし,長寿の利点も提供しています.耐久性のある産業用および軍事用用途に適している安定した動作です

II.高功率GaN増幅器:高効率高功率RF電源エンジン

高功率RFアプリケーションの需要に応えるため,CML Micro SμRFシリーズはガリウムナイトリド (GaN) をベースとした高功率アンプをリリースしました.3代目の広帯域半導体材料としてGaNは,GaAと比較して,より高い分解電圧,より高い電子移動性,より高い動作温度を提供します.より小さなチップ領域内でより大きな出力力とより高いエネルギー効率を可能にします高功率 RF 増幅器の理想的な材料です

このシリーズでは,衛星通信,軍事ラジオ局,メッシュネットワーク,レーダーシステムなどのコアアプリケーションに焦点を当てています.異なる周波数帯と電力需要をカバーする多様な製品を提供していますCMX90A301S5は 次世代のコンパクトの線形GaN電源増幅機で 飽和出力10WまでMANET ラジオ局や高度な軍事通信システム向けに特別に最適化されています高出力の出力を確保しながら,優れた線形性と効率性を達成し,通信範囲と信号品質を効果的に向上させます. さらに,CML Microは,Ka帯のGaN電源増幅器を導入しました高効率でコンパクトな通信機器の需要に応えるため,コスト効率の高い商業用衛星通信端末機器を開発するために使用できます.商用衛星通信部門における高性能RF部品.

性能最適化に関しては,CML Microの高功率GaN増幅器は先進的な電源合成技術と熱管理設計を使用しています.高功率運用中にGaN装置が直面する熱消耗の課題を解決し,装置の運用安定性と使用寿命を向上させるこれらの製品は,2.7~8.5 GHz周波数帯をカバーする特定のモデルで,ブロードバンド操作を備えています.これらの製品は,高増幅とフラット増幅特性を提供し,マルチバンドに適しています.多モード通信システムさらに,この製品シリーズは低電圧 (例えば2.7~4.5V) の動作をサポートします.システムの電力消費を削減し,携帯機器や車載装置などの電源敏感なモバイルRF機器に適している.

伝統的な高功率GaAs増幅機と比較して,CML MicroのGaN製品は,電力密度,エネルギー効率,動作温度に著しい改善をもたらします.高温環境でも安定した性能を維持します航空宇宙や防衛分野などの極端な運用条件に適しています.産業用暖房や医療機器などの民間用高電力のRFフィールドにも適用されます幅広い応用可能性を示しています.

III フィールド効果トランジスタ (FET): 柔軟で費用対効果の高いRFコアコンポーネント

CML Micro SμRFシリーズは,MMICと高功率増幅器を統合したほか,高性能フィールド効果トランジスタ (FET) も提供している.RFシステムの基本的なコアコンポーネントとして,これらは顧客に柔軟な回路設計オプションを提供し,カスタマイズされたデバイス構成と特化したRF回路を必要とするシナリオに適しています..

このシリーズのFETは主にGaAs材料をベースにしており,CML Microの成熟した半導体製造プロセスを活用して,高線性,低騒音,高い信頼性を提供しています.その中でもMWT-11F89は,SOT-89パッケージの高線性GaAs FETで,最大1.5Wの出力を提供することができる.RF業界で最も人気のあるコンパクトパッケージを使用し,効率的にPCBスペースを節約し,航空宇宙や防衛などの長寿命アプリケーションに特化したものです性能を保証しながら,小型化と高い信頼性のバランスをとります.このシリーズのフィールド効果トランジスタは,幅広い周波数範囲をカバーし,様々なRFシステムの基本的な機能要件を満たすことができますRF回路設計のための柔軟な基礎的サポートを提供します.

パッケージとアプリケーション互換性の観点から,CML Microの離散フィールド効果トランジスタは,SOT-89やQFNなどのコンパクトパッケージを含むさまざまなパッケージタイプで利用できます.サイズに関する要件を満たすため製品には優れた溶接性と干渉抵抗性があり,他の離散部品と柔軟に組み合わせることができます.小型や中型電源のRF増幅機などの回路モジュールの設計に適しています消費者の通信機器,産業センサー,自動車電子機器,防衛および軍事機器を含む分野で広く使用されています.

統合装置と比較して 離散電磁場トランジスタは 価格比率が高く 設計柔軟性も高い顧客が実際のシステム要件に応じて,回路モジュールを独立して構成できるようにするさらに,CML Microは,独自の磁場効果トランジスタのための包括的な技術サポートと仕様データを提供しています.顧客が回路設計とデバッグを迅速に完了し,製品開発サイクルを短縮するのを支援する.