会社ブログについて 供給 インフィニオン GaN 製品:GaN 両方向スイッチ,GaN コントローラー,GaN スマート,GaN トランジスタ

供給 インフィニオン GaN 製品:GaN 両方向スイッチ,GaN コントローラー,GaN スマート,GaN トランジスタ

シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,中国における主要な電子部品供給業者として,顧客に安定した信頼性の高いオリジナル製品を提供するために,強力なサプライチェーンネットワークと専門的な業界サービス能力を活用.

主な製品としては:5Gチップ,新しいエネルギーIC,IoTIC,BluetoothIC,車両ネットワークIC,自動車級IC,通信IC,人工知能IC,メモリIC,センサーIC,マイクロコントローラICトランシーバーICイーサネットIC,WiFiチップ,ワイヤレス通信モジュール,コネクタ,その他の電子部品

供給において,同社は以下の主要な優位性を持っている.

オリジナルメーカーからの直接供給と品質保証: すべての製品は100%オリジナル製品であることを保証するために,認可されたチャネルを通じて調達されます.製造元からの完全オリジナル・バッチ番号が記載されている..

拡大可能な調達とコストの最適化: 複数の知名ブランドとの深遠な協力と大規模調達の利点により,電子部品の総コストを大幅に削減できる顧客に非常に競争力のある価格を提供しています.

柔軟で迅速な配送能力: 深?? 市中央倉庫と香港の関税倉庫は,48時間の急配送をサポートし,並行して動作します.緊急注文で国内で24時間以内に送れる.

ガリウムナイトリド (GaN)

CoolGaNTM 消費電子機器,産業用,自動車用向けに最高効率と電力密度を供給するディスクリートデバイスと統合ソリューション.

インフィニオンのGAN双方向スイッチ製品とアプリケーション

インフィニオンのCoolGaNTMシリーズの双方向スイッチ (BDS) は,電力変換アプリケーションにおけるGaN技術の重要なイノベーション方向を示しています.インフィニオンの40V双方向スイッチ装置は,先進的なGaN-on-Siプロセス技術を使用して製造されています2つの高性能GaN HEMT (高電子移動性トランジスタ) を統合し,単一のパッケージ内で二方向の電流制御を可能にします.電路設計を大幅に簡素化し,システムの信頼性を向上させるこれらの装置は,非常に低い電源抵抗 (典型的な値は1.1mΩから2.3mΩ) と超高速の切り替え速度を特徴としています.2MHzまで動作周波数をサポートする 伝統的なシリコンベースのMOSFETの5~10倍の性能を備える高効率の操作です

GaN双方向スイッチの技術的利点は,ボディダイオードの逆復元特性がないことにある.GaN装置は逆伝導中に逆復元電流を生成しない.基本的には,従来のMOSFETのボディダイオード逆復元によって引き起こされるスイッチ損失とEMI問題を排除します. Infineon's CoolGaN™ bidirectional switches also employ innovative gate drive technology to ensure device stability and reliability under high-frequency switching conditions while simplifying drive circuit designこれらの特性により,GaN両方向スイッチは,同期直線,モーター駆動Hブリッジ,ワイヤレス充電.

インフィニオンのGANコントローラとスマートデバイスソリューション

インフィニオンのGaNコントローラー製品ラインにはスタンドアロンゲートドライバと高度に統合されたインテリジェントパワーモジュール (IPM) が含まれています.高周波電源を完全に利用するためにGaN電源装置のユニークな特性に最適化されている特に,GaNスイッチとドライバを統合したNV6133AのようなインテリジェントパワーICは,損失のない電流検出と包括的な保護機能を可能にするGaNSenseTM技術を使用します.システム設計を大幅に簡素化し,信頼性を向上させる.

GaNFastTM電源ICは,InfineonのGaNコントローラ製品ラインの旗艦シリーズである.NV6133Aチップは,高性能GaNスイッチとドライバを統合し,10~30Vの幅広いVCC範囲をサポートしている.プログラム可能なオン dV/dt を提供するこの装置は800Vの一時電圧と700Vの連続電圧を搭載している.オン抵抗がわずか330mΩで,動作周波数が2MHzまでサポートされる統合されたGaNSenseTM技術により ショート回路防護,過熱防護,自動低電流スタンバイモードなどの 知的機能が提供されています伝統的な設計におけるサンプル採取レジスタからの電源損失をなくし,システムの効率性と信頼性をさらに向上させる.

インフィニオン GaN トランジスタシリーズ

インフィニオンのGaNトランジスタ製品ラインは,中高電圧から中高電圧までの幅広いアプリケーション要件をカバーしており,CoolGaNTM G3 (中高電圧) などの全シリーズGaNトランジスタを含む.CoolGaNTM G5 (高電圧)これらの装置は,高度な8インチワッフルプロセスを用いて製造され,電力密度,スイッチ周波数,熱管理性能を大幅に向上させ,消費電子機器から工業用電源まで,最先端の用途に適している.

CoolGaNTM G3シリーズは,40Vから120Vの電圧範囲で中電圧アプリケーションに最適化されています.標準化されたRQFN 5x6と3.3x3.3パッケージを使用します.伝統的なシリコンベースのMOSFETピンと互換性があるこの装置は,非常に低電阻 (1.1mΩ~2.3mΩ) と優れた熱循環安定性があります.高周波スイッチ用アプリケーションに特に適しているUSB-C 急速充電設計では,G3 シリーズ GaN トランジスタは,電源のサイズを50%以上削減しながら,効率が95%以上に達します.高周波特性によりフィルター部品のサイズを小さくし,制御帯域幅を向上させる.

クールガンTM G5シリーズは,高電圧アプリケーションのためのインフィニオンの旗艦製品で,最大650Vの電圧で動作します.前世代と比較して3~5%の効率向上G5 シリーズ GaN トランジスタは,数百 kHz から MHz の動作周波数をサポートする,非常に低いスイッチ損失を備えています.優れた dv/dt 抵抗力とショート・サーキット耐える能力を提供しながらフォトボータイクインバーターアプリケーションでは,G5装置は99%を超える変換効率を達成し,発電システムのエネルギー出力を大幅に向上させます.サーバー電源と電動車内充電器 (OBC)高い電力密度は,よりコンパクトなシステム設計を可能にします.