[インフィニオン] IGBT トランジスタIKW40N65H5: 650V,40A 高速ハードスイッチング トレンチストップ® IGBT5 トランジスタ
シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.供給 [インフィニオン]IKW40N65H5: 650V IGBT トランジスタと対称化ダイオード,TO-247パッケージ.
部品番号:IKW40N65H5
パッケージ:TO-247-3
タイプ:IGBTトランジスタ
製品概要IKW40N65H5
IKW40N65H5高速650V,40AハードスイッチングのTRENCHSTOPTM IGBT5トランジスタは,TO-247パッケージのRAPID 1の高速・ソフトアンチパラレルダイオードと併装され",クラスベスト"IGBTと定義されています.
IKW40N65H5Nチャネル IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) で,インフィニオンのTrenchStop®技術が搭載されており,高性能スイッチングアプリケーション用に設計されています.
IKW40N65H5高電圧,高電流,低損失の特性により,工業駆動装置,再生可能エネルギー,家電などの分野で優れた性能を持っています.
IKW40N65H5仕様のパラメータ
パラメーター | IKW40N65H5 |
---|---|
E について消して(ハードスイッチング) | 0.12 mJ |
E についてについて | 0.39mJ |
私はC についてランキングマックス | 74A |
私はC について(100°)マックス | 46A |
私はCpuls マックス | 120A |
私はF について マックス | 36A |
私はFpuls マックス | 120A |
私はアム | 12.5A |
Pトゥ マックス | 255W |
パッケージ | TO-247-3 |
Q についてゲート | 95 nC |
Q についてrr | 紀元後450年 |
RG | 15 Ω |
スイッチング周波数ミニ マックス | 30kHz 100kHz |
スイッチング周波数 | TRENCHSTOPTM5 30〜100 kHz |
テクノロジー | IGBT トレンチストップTM 5 |
VCE (sat) | 1.65V |
VCE マックス | 650V |
VF について | 1.45V |
t消して | 165 ns |
td ((オン) | 22 ns |
tf | 13 ns |
tr | 12 ns |
主要な特徴IKW40N65H5
定位電圧: 650V
定位電流: 40A
低導電損失:TrenchStop®技術で導電損失を減らす
速速切換: 高速切換頻度により効率が向上する
高度 の 信頼性: 厳しい 環境 に 対し て 頑丈 な 設計
電気特性IKW40N65H5
コレクター・エミッター電圧: 650V
コレクター電流: 40A
最大電力消費量: 300W
オン状態の電圧低下:1.7V (典型)
応用分野IKW40N65H5
産業用駆動装置:モーター制御,インバーター
再生可能エネルギー:太陽光インバーター,風力発電
溶接設備:高効率の溶接電源
家電:インバーター式エアコン,洗濯機
IKW40N65H5トレンチストップ®技術搭載のIGBTトランジスタで,工業駆動装置,太陽光変圧器,溶接機器などの幅広い用途で高効率のスイッチングアプリケーションを搭載しています.
IKW40N65H5トレンチストップ®技術とTO-247パッケージを組み合わせた高性能IGBTトランジスタで,高効率で高信頼性のスイッチングアプリケーションを搭載している.
IKW40N65H5低損失,高速スイッチ,高電源密度の特性により,産業,再生可能エネルギー,家電などの分野で幅広い用途を提供しています.
製品属性IKW40N65H5
シリーズ:TrenchStop®
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): 650 V
電流 - コレクター (Ic) (最大): 74 A
電流 - コレクターパルス (Icm): 120 A
Vce (オン) (最大) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
電力 - 最大 255 W
切り替えエネルギー:390μJ (オン),120μJ (オフ)
入力タイプ:標準
ゲートチャージ: 95 nC
Td (オン/オフ) @ 25°C: 22ns/165ns
試験条件: 400V,20A,15Ohm,15V
逆回復時間 (trr): 62 ns
動作温度: -40°C~175°C (TJ)
設置タイプ: 穴を通る
パッケージ/ケース: TO-247-3
供給者のデバイスパッケージ:PG-TO247-3
IKW40N65H5特徴の概要
突破電圧650V
クラス最高のハイスピード3ファミリーと比較して
Qg を 2.5 減らせる
変身損失の減少因子2
VCEsat の 200mV の減少
急速なSi-ダイオード技術で組み込まれています
低COES/EOSS
軽度の正気温係数 VCEsat
Vf の温度安定性
典型的なアプリケーション回路IKW40N65H5
についてIKW40N65H5半ブリッジまたはフルブリッジトポロジーで一般的に使用されます.例えば:
- ハーフブリッジインバーター:モータードライブや太陽光インバーターで使用されます.
- フルブリッジ直線器:高周波切換電源用
シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.長期供給 [インフィニオン]IKW40N65H5IGBTトランジスタ,私たちの会社は 製品供給の安定性と信頼性を保証するために 堅牢で信頼性の高い供給チャンネルを持っています.
高電圧,高電流,低損失の特性により,IKW40N65H5高性能のスイッチングアプリケーションに最適です
産業用および消費者用電子機器のアプリケーションの範囲
詳細については,Minjata Electronicsのウェブサイト (https://www.integrated-ic.com/) について
コンタクトパーソン: Mr. Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753