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会社ブログについて供給インフィニオン IQE220N15NM5 OptiMOSTM 5 低電圧電源 MOSFET 150 V

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供給インフィニオン IQE220N15NM5 OptiMOSTM 5 低電圧電源 MOSFET 150 V

深?? 明治田エレクトロニクス株式会社インフィニオン IQE220N15NM5 OptiMOSTM 5低電圧電源MOSFET 150 VをPQFN 3.3x3.3ドロップソースパッケージで供給,Nチャネル電源MOSFETの取得

記述

IQE220N15NM5は,22mOhmのRDS (オン) を備えたソースダウンシリーズの一部である.ソースダウン技術は,部品内に逆転したフリップフラップシリコンチップを使用する.

この新しい技術は,標準ゲートと中央ゲート (並列化のために最適化) の2つの異なるフットプリントで利用できます.

特徴

RDS (オン) 22mOhm
PQFN パッケージと比較してより良いRthJC
標準的なゲートフットプリント
新しい最適化されたレイアウトの可能性

利益

最大の電力密度と性能
優れた熱性能
効率的な空間利用
簡単な配置の設置のための標準ゲート
改善されたPCB損失
寄生虫の減少

潜在的応用

ドライブ
SMPS
サーバー
電気通信
バッテリー管理

ホーム URL:http://www.hkmjd.com/

パブの時間 : 2024-09-29 09:52:54 >> ニュースのリスト

連絡先の詳細

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Mr. Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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