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会社ブログについて供給のN-Channel IPD35N10S3L26ATMA1 100Vの自動車等級のMOSFETsのトランジスターTO-252-3

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供給のN-Channel IPD35N10S3L26ATMA1 100Vの自動車等級のMOSFETsのトランジスターTO-252-3

供給のN-Channel IPD35N10S3L26ATMA1 100Vの自動車等級のMOSFETsのトランジスターTO-252-3

指定

トランジスター極性:N-Channel

チャネルの数:1つのチャネル

Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:100ボルト

ID -連続的な下水管の流れ:35 A

Rdsのオン下水管源の抵抗:20のmOhms

Vgs -ゲート源の電圧:- 20ボルト、+ 20ボルト

VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:1.2 V

Qg -ゲート充満:39 NC

最低の実用温度:- 55 C

最高使用可能温度:+ 175 C

Pd -電力損失:71 W

チャネルモード:強化

製品の説明

IPD35N10S3L26ATMA1はOptiMOS®-Tのパワートランジスター、より小さい運転者の出力段階のための最大限に活用された総ゲート充満である。

特徴

N-Channel -高められたモード

100%のなだれはテストした

175°C実用温度

180Aまでの最高の流れ

260°CまでのMSL1ピークのリターン温度

高い熱効率のための低い転換力および伝導の電源切れ

パブの時間 : 2023-07-18 12:00:15 >> ニュースのリスト

連絡先の詳細

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Mr. Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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