供給のN-ChannelのトランジスターNTHL160N120SC1供給ICの破片およびBTの破片は、電子部品を供給する
供給のN-Channelのトランジスター
NTHL160N120SC1は炭化ケイ素（SiC） MOSFETである– EliteSiCのN-Channelの単一のFETsのトランジスター、160 mohm、1200V、M1のパッケージはTO-247-3Lである。
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FETのタイプ
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N-Channel
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技術
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SiCFET （炭化ケイ素）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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1200ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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17A （Tc）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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20V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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224mOhm @ 12A、20V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4.3V @ 2.5mA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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34 NC @ 20ボルト
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Vgs （最高）
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+25V、-15V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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665 pF @ 800ボルト
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電力損失（最高）
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119W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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穴を通して
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製造者装置パッケージ
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TO-247-3
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パッケージ/場合
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TO-247-3
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シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社。
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