会社ブログについて 供給 NOR Flash S70GL02GS11FHI010 FLASH - NOR メモリ IC 2Gb パラレル 110 ns 64-FBGA

ミンジアダ・エレクトロニクス 新品・オリジナル NOR Flash S70GL02GS11FHI010 FLASH - NOR メモリ IC 2Gb パラレル 110 ns 64-FBGA

S70GL02GS 2GB MIRRORBITTM フラッシュメモリデバイスは,65nm MIRRORBITTM プロセス技術を用いて製造されている.デバイスは25 ns の高速ページアクセス時間と 110 ns の対応したランダムアクセス時間を持っています. 書き込みバッファがあり,単一の操作で最大256文字/512バイトまでプログラムできます.

パラメータ:S70GL02GS11FHI010

密度: 2048 MBit

シリーズ:GL-S

初期アクセス時間: 110 ns

インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz): NA

インターフェース:平行

鉛ボール仕上げ:チン/シルバー/銅

最低および最大動作温度: -40 °C 85 °C

最小・最大電圧: 3V 2.7V 3.6V

ページへのアクセス時間: 20 ns

最大回流温度: 260 °C

認証:産業用品

特徴として:

• 3.0 V CMOS コアと多機能I/OTM
• 単一の64ボールの強化BGAパッケージ (S29GL01GS) で2つの1024メガビット
• 65nm MIRRORBITTM プロセスの技術
• 単一の電源 (VCC) 読み込み/プログラム/削除 (2.7Vから3.6V)
• 多機能 I/O 機能
• 広域のI/O電圧 (VIO):1.65VからVCC
• ×16 データバス
• 16語/32バイトページ読み込みバッファ
• 512 バイトのプログラミングバッファー
• 512 バイトまでのページ倍数でプログラミング
• セクター消去
• 単一の128KBセクター
• S70GL02GS: 248部門
• プログラムと消去操作の停止と再開コマンド
• 状態登録,データアンケート,デバイスの状態を決定するための準備/忙しいピン方法
• 高級セクター保護 (ASP)
• volatile 及び non-volatile 保護方法
• 2つのロック可能な領域を持つ独立した1024ビット一次プログラミング (OTP) アレイ
• 各デバイスはCommon Flash Interface (CFI) をサポートしています.
• WP# 入力
• 各デバイスの最初のまたは最後のセクター,またはセクター保護設定とは無関係な最初のおよび最後のセクターを保護する.
• 温度範囲
• 工業用温度帯 (-40°Cから+85°C)
• 典型的な100,000の消去
• 典型的なデータ保存期間は20年
• パッケージオプション
• 64ボールのLSH強化BGA,13mm 11mm

連絡先

電話番号: +86 13410018555

メール: sales@hkmjd.com

会社のホームページ:www.hkmjd.com について