会社ブログについて 供給オン個別評価ボード：MOSFET、IGBT、パワーモジュール、SiC

MOSFET,IGBT,電源モジュール,SiC

シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,世界的に知られる電子部品の認可独立販売業者として,業界における長年の専門知識と安定したサプライチェーンシステムを活用し,顧客に包括的な電子部品ソリューションを提供します..

主な製品:5Gチップ,新しいエネルギーIC,IoTIC,BluetoothIC,テレマティックIC,自動車IC,自動車級IC,通信IC,AIIC,メモリIC,センサーIC,マイクロコントローラーIC,トランシーバーICイーサネットICワイヤレス通信モジュール,コネクタ,その他の製品

供給上の利点

すべての製品はオリジナルのOEM製品で,包括的な品質保証と追跡サービスがサポートされています.

電子部品の全範囲をカバーするSKUは200万台を超えています

大規模な調達と運用コストの合理化により業界をリードする価格設定を達成しました

効率的な物流システムにより,納期が確保されます.

完ぺきなアフターセールスサービスは,顧客の懸念を排除します.

1機密機器評価委員会:柔軟性と深層分析

ON Semiconductor EVBUM2897G-EVBによって代表される,離散デバイス評価ボードは,柔軟性と深い分析能力を通じてコアバリューを提供します.エンジニア は ゲート 抵抗 と 駆動 電圧 などの パラメーター を 自由 に 調整 でき ます変速経路への影響を注意深く観察し,予備的技術研究と装置選択の検証に最適化しています.

EVBUM2897G-EVB 先進的なダブルパルステスター評価ボードは,研究室におけるデバイス性能比較分析のための汎用ツールとして機能します.精密なスイッチング性能比較,EliteSiC MOSFETsとIGBTsを様々なディスクリートパッケージで.

特殊な汎用性:その主な強みは,TO247-3L/4L,D2PAK-7L,BPAK7,TOLL,およびPOWER88を含む6つの主流の高電力パッケージをサポートすることにある.これは,開発者が同じチップのスイッチ特性に影響する異なるパッケージをどのように比較するために単一のボードを使用することを可能にします,または同じパッケージ内の異なるチップのパフォーマンスを評価し,選択のための直接データサポートを提供します.

プロテストアーキテクチャ:このボードは単純なアダプタを超えて,包括的なダブルパルステスト (DPT) に必要なすべての重要な回路を統合しています:

隔離されたシングルゲートドライバー:高電圧試験中に安全性と信号の整合性を保証する2.5kVの電気隔離を提供します.

低誘導性PCBレイアウトと組み込まれた部品: パワーループレイアウトは,寄生誘導性を最小限に抑えるために特に最適化されています.80 μHのワイヤロープ式エアコアインダクタと電流測定トランスフォーマー, 切り替えプロセス中に電圧過電,鳴き声,切り替え損失をより正確に測定することができます.

高電圧サポート:ボード設計では,1200Vまでのデバイス,最大1100VのDCバス電圧に対応し,一般的な高電圧アプリケーションシナリオをカバーします.

2パワーモジュール評価ボード: システムレベルのアプリケーション

デバイスがより高度な統合の電源モジュールに拡張される場合,評価はシステムレベルのパフォーマンスに向けられます.ON Semiconductorの EVBUM2878G-EVB評価ボードは,その 1200V M3S 4-PACK EliteSiC MOSFET フルブリッジモジュールのために特別に設計されています.

システムレベルでのテスト: 双パルステストのサポート以外にも継続的な動作中の変換効率や温度上昇などの重要なシステムメトリックを評価するために,オープンループの電源テストを強調します..

全面的なドライブと保護:ボードは4つの独立した隔離ゲートドライバー,プリインストールされた薄膜DCバスコンデンサ,熱管理の最適化設計 (高放射性黒いPCBを使用)ソーラーインバーター,エネルギー貯蔵システム,電気自動車の充電ステーションなどの実用的なアプリケーションでモジュールの性能を直接評価することができます.

3シリコンカービッド インテリジェント パワー モジュール 評価 ソリューション: プラグアンドプレイシステム統合

電力半導体統合の最高形態はインテリジェント・パワー・モジュールです.ON半導体の最近発売された EliteSiC SPM 31シリーズIPMは,SiC MOSFET,ゲートドライバ,保護回路これらのモジュールの評価ソリューションは高度に統合されています.

破壊的な性能優位性:以前のIGBTソリューションと比較して,このSiCIPMは,典型的な負荷下で電力消費量を最大52%削減します.年間エネルギー消費とコストを大幅に削減する.

シンプルな設計: 評価の焦点は,デバイスそのものを超えて,その統合された優位性を迅速に活用することにあります.内蔵された低電圧保護,ブートストラップダイオード,温度モニター製造者の基準設計に基づいて効率的でコンパクトな変頻駆動装置を迅速に開発できますこれは,AIデータセンター冷却ファンや産業用サーボドライブなどのアプリケーションに適しています..