ガリウムナイトライド (GaN) の供給 製品:GaN FETs,GaN統合電力
シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,電子部品の流通に長年の経験を持つ専門的なサプライヤーとして,安定したサプライチェーン資源を通じて高品質の製品とサービスを提供します.厳格な品質管理システムと効率的なサービス能力.
供給上の利点
製品の正規性と十分な備蓄レベルを保証するために オリジナル機器メーカーと主要な流通チャネルと緊密に協力しています我々は,私たちの顧客の様々な調達ニーズを満たすために,大量購入と小批量サンプルサービスの両方を提供しています供給されたすべての製品は厳格な品質試験を受けます 供給者の選択から入荷検査まですべての段階において,偽造品や劣質品を排除するための標準化手順を遵守する顧客が受け取るすべての商品が,元の製造者の仕様と品質要件に適合していることを保証します.
I.ON半導体のGaN技術の主要な利点
伝統的なシリコンMOSFETと比較して ON Semiconductorの全範囲の GaN製品基本的レベルでシリコンベースのデバイスのパフォーマンス上のボトルネックを壊す4つの主要な技術的利点を提供します:
- 超低回転損失と高周波性能: GaN の電子移動性は,シリコンよりも著しく高いため,装置は非常に低いゲート充電と出力充電を備えています通信速度を大幅に向上させ,MHz帯の高周波操作をサポートする.切換損失を効果的に削減し,高周波インバーターと直流器の適用に適しています.
- 双方向伝導: シリコンベースのデバイスの単方向伝導の制限とは異なり,ON半導体のGaNデバイスは固有の双方向伝導能力を有します.複数の伝統的なトランジスタを交換できるように, これにより回路トポロジーを簡素化し,周辺部品の数を削減する.
高周波操作により,トランスフォーマー,インダクター,コンデンサータなどの磁気部品の容量が大幅に減少します.コンパクトなパッケージデザインと組み合わせた設備の総サイズと重量を大幅に削減します.
- 優れた熱安定性と信頼性:GaN材料は高温,高電圧,放射線に優れた耐性を有します.装置は,低導電損失と最小限の熱発生を特徴としています厳しい産業環境やデータセンターの高負荷連続運用に適しており,寿命も長くなります.
![]()
II.半導体GaNフィールド効果トランジスタ (GaN FET) について
オンセミのGaNフィールド効果トランジスタ (GaN FETs) は,GaNEXUSTM製品ポートフォリオの核心を構成する.離散的な電源装置として,40Vから650Vまでの一般的な電圧評価範囲をすべてカバーする.,低電圧,中電圧,高電圧のモデルの一連の完全に対応し,さまざまな電源レベルやトポロジーの電源電子システムに柔軟に適応できます.費用対効果をピークパフォーマンスとバランス一般用途で高効率の電源変換の好ましい選択肢です.
1主要な製品特徴
Onsemi GaN FETは,増強モードのガリウムナイトリッドプロセスを利用し,通常はオフデバイスである.それらは伝統的なシリコンMOSFETドライブ論理と互換性がある.既存の回路設計に重大な変更を必要とせず,例外的な適応性を有するデバイスはゼロのリバースリカバリーチャージを搭載し,従来のシリコンデバイスに関連するリバースリカバリー損失を完全に排除しますスイッチピークと電磁気干渉を大幅に減らすさらに,この製品では,業界トップのRds ((on) × Qg比で,電源抵抗とゲート充電が非常に低くなっています.低負荷と高負荷の両方の条件下で例外的に高い変換効率を維持する.
さらに,このシリーズの装置は制御可能なスイッチ速度と非常に低い熱抵抗を備えています.熱性能が優れている高周波および高負荷条件下で長期にわたって安定した動作を可能にします.これは効率的にシステム熱管理設計コストを削減し,コンパクト機器の熱要件を満たす.
2主な製品仕様と分類
ON SemiconductorのGaN FETは,消費者,産業および新しいエネルギーアプリケーションの全範囲をカバーする,電圧名付けによって精密にセグメントされています.
- 40V低電圧 GaN FET:低電圧,高電流アプリケーションのために設計され,高速充電電源,ポータブルエネルギー貯蔵,低電圧モーター駆動装置とサーバーの低電圧電源配送装置超低電圧抵抗により,低電圧の電源変換効率を大幅に向上させ,機器の小型化を促進します.
- 100V~300V 中電圧のGaN FET:工業用電源,PVマイクロインバーター,自動車用低電圧電源と電信用電源性能とコストのバランスを保ち,高周波の性能と運用安定性を保証します.
- 650V 高電圧 GaN FET: 高電圧,高電力のアプリケーションに適したシリーズのコアモデル,光伏インバーター,エネルギー貯蔵コンバーター,充電点,AIデータセンターサーバーの電源と工業用高周波インバーター機器超高密度の電源変換を可能にし,システム全体のエネルギー消費を大幅に削減します.
3基本アプリケーションシナリオ
柔軟な選択と適応能力のおかげで,離散的なGaN FETは,様々な汎用電力変換シナリオで広く使用されています.消費電子機器のための高電力高速充電携帯エネルギー貯蔵電源,電信ベースステーション電源,産業用スイッチ電源,マイクロPVインバーター,自動車補助電源,変速電動装置中小電力帯の高効率の電源のアップグレードのコアコンポーネントです
III.半導体GaN統合電源装置 (Smart GaN FET) について
OnsemiのGaN統合電源装置は,GaNEXUSTMシリーズ内の高級,高度に統合された製品です.主に650VのスマートGaN装置で代表されています.伝統的な離散コンポーネントの設計制限を克服する GaN FET を高度に統合することで,専用ゲートドライバー,保護回路と監視回路の完全なセットを1つのパッケージにまとめます.これは"電源装置 + ドライバー + 保護"の統合された組み合わせを達成します.高品質の電源ソリューションを提供し,高い信頼性を有する高い統合と高い安定性
1統合アーキテクチャとコア機能
離散的なGaN FETと比較して,これらの統合電源デバイスは包括的な機能アップグレードを提供します.コア統合モジュールは,高精度専用ゲートドライバーチップ,超電流保護超電圧保護,超温保護,ゲート電圧安定化保護,故障検出およびフィードバックモジュールモノリシックな統合建築は 従来の離散的なソリューションの痛みを徹底的に解決します外部のドライバチップと保護回路の必要性をなくし,周辺回路の設計を大幅に簡素化し,PCBルーティングの複雑さを軽減します.寄生虫のパラメータによる干渉を最小限に抑えるシステム安定性とハードウェアレベルでの干渉に対する免疫性を向上させる.
さらに,この装置には正確な温度と電流の検出機能が組み込まれ,動作条件のリアルタイムモニタリングが可能になります.システムの主なコントローラと連携して作業する, 精密な電流制限,過熱停止,故障アラームを容易にし,過負荷などの異常な動作条件によるデバイスの損傷を効果的に防止します.短回路や高温運用安全と使用寿命を大幅に向上させる.
2主な製品メリット
- システム設計が非常に簡素化:単一の装置で分離されたGaNトランジスタ,ドライバチップ,保護部品を置き換えるため,部品数を30%以上減らす.製品の研究開発サイクルを短縮し,調達と組み立てコストを下げる.
- より高い安定性と一貫性:原始製造者によって駆動回路と電源装置が最適化され,マッチされています.寄生パラメータは最小で,切り替え波形はよりスムーズです.ディスクレートソリューションに共通するドライブマッチング偏差とルーティング干渉問題を排除する量産された製品で優れた一貫性を確保する.
- 厳しい操作条件に強い適応力: 統合された保護メカニズムの包括的なセットにより,装置は高負荷に耐えることができます.産業用電磁気システムに特有の 連続運転と複雑な電磁気環境エネルギーおよびデータセンターのアプリケーションで,衝撃と干渉耐性は離散ソリューションをはるかに上回ります.
高周波操作能力と組み合わせたコンパクトで統合されたパッケージは,高級機器の設計要件を満たすため,機器の全体的なサイズをさらに削減します.コンパクト高性能デバイスです
3基本アプリケーションシナリオ
GaN統合電源装置は主に高性能,高電力,高信頼性のアプリケーションを対象とし,AIデータセンターなどの主要部門にサービスを提供しています.新しいエネルギーインフラストラクチャと高級産業自動化これらの電源には,データセンターのための48V高電圧直流電源,高電力のエネルギー貯蔵コンバーター,搭載充電器,新エネルギー車両のための高電圧電源システム,高級産業用インバーターロボット用の高精度の電力システム. 高性能の電力電子システムのアップグレードのコアソリューションです.
IV. 2つの製品カテゴリーの区別
GaN フィールド効果トランジスタ (FET): 柔軟な回路トポロジーを必要とするコスト敏感なアプリケーションに適しており,消費者の高速充電などの小型から中程度の電力シナリオで動作する.携帯式エネルギー貯蔵標準的な産業用電源や低電圧モーター駆動装置です.それらはカスタマイズされた回路設計に適しており,お金の価値に相当します.
GaN統合電源装置:高信頼性,高電力,高統合,データセンター電源などの厳しい条件下で動作するアプリケーションに適しています.高功率新エネルギー機器高級産業機器と電網に接続されたエネルギー機器は,システムの安定性を向上させながら,研究開発とO&Mコストを大幅に削減することができます.
コンタクトパーソン: Mr. Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753