会社ブログについて MOSFET の供給 製品:低/中/高電圧 MOSFET,小信号 MOSFET

ON MOSFET 製品: 低/中/高電圧 MOSFET、小信号 MOSFET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,世界的に有名な電子部品の販売代理店として、‘顧客に奉仕し、顧客に利益をもたらす’という原則を遵守しています。強力なサプライチェーンネットワークと専門的な技術サービスを活用し、さまざまな電子部品製品に対する包括的なソリューションを提供しています。

主な製品には以下が含まれます:5G チップ、新エネルギー IC、IoT IC、Bluetooth IC、車載ネットワーク IC、車載グレード IC、通信 IC、人工知能 IC など。さらに、メモリ IC、センサー IC、マイクロコントローラー IC、トランシーバー IC、イーサネット IC、WiFi チップ、無線通信モジュール、コネクタ、その他の電子部品も供給しています。

供給の利点:第一に、200 万を超える製品モデルの在庫を維持しており、軍用グレード、産業用グレード、およびさまざまなハイテク部品をカバーしており、研究開発から量産までのすべての段階で顧客のニーズに迅速に対応できます。第二に、供給されるすべての製品は、オリジナルメーカーまたは正規チャネルから直接調達されており、製品の信頼性と一貫性を確保するために、完全なバッチトレーサビリティと保証サービスを提供しています。第三に、深センと香港のデュアル倉庫レイアウトとグローバルなロジスティクスパートナーネットワークを活用して、注文の 98% を 48 時間以内に発送でき、1 つのアイテムからという柔軟な調達モデルをサポートしています。

ON MOSFET 製品ラインは包括的で、以下が含まれます:

低電圧 MOSFET (40V-100V): 主にポータブルデバイスや DC-DC コンバーターなどの低電力アプリケーションで使用されます

中電圧 MOSFET (150V-500V): 産業用電源、車載エレクトロニクス、その他の中電力アプリケーションに適しています

高電圧 MOSFET (600V-900V): ソーラーインバーターやモータードライブなどの高電力アプリケーション向けに設計されています

小信号 MOSFET: アンプやスイッチなどの精密電子回路で使用されます

低電圧 MOSFET (40V-100V) 製品の詳細

低電圧 MOSFET 製品ラインは、40V から 100V の電圧範囲をカバーしています。これらのデバイスは、優れたスイッチング性能と低いオン抵抗特性を備えており、ポータブル電子デバイス、DC-DC コンバーター、低電圧電源管理などのアプリケーションに最適です。低電圧 MOSFET は、システムの効率を向上させ、サイズを削減する上で重要な役割を果たしており、電力消費量とスペース要件が厳しい最新の電子デバイスに特に適しています。

技術的特徴と性能上の利点:

超低オン抵抗: 高度なトレンチゲート技術を利用することで、RDS(on) を数ミリオームまで低減でき、伝導損失を大幅に削減します

高速スイッチング特性: 最適化されたゲート設計により、ナノ秒レベルのスイッチング速度を実現し、スイッチング損失を最小限に抑えます

高電力密度: チップレベルのパッケージングまたはコンパクトなパッケージングオプションにより、PCB スペースを節約できます

優れた熱性能: 改良されたパッケージング技術により、放熱能力が向上し、信頼性が向上します

低ゲート電荷 (Qg): ドライブ電力要件を削減し、ドライブ回路設計を簡素化します

低電圧 MOSFET 製品は、従来のプレーナープロセスや高度なトレンチ技術など、さまざまなプロセス技術を利用して、さまざまなアプリケーションシナリオに最適なソリューションを提供します。その中でも、Super Junction 技術を採用した MOSFET モジュールは、40V から 80V の範囲で業界をリードする性能指標を達成しており、車載モータードライブや車載充電器に特に適しています。これらのデバイスは、40V、60V、80V を含む複数の電圧定格で利用できます。標準的なシングルチップパッケージングに加えて、さまざまなシステムアーキテクチャのニーズに対応するために、6 パックおよびフルブリッジ/ハーフブリッジトポロジー用のモジュールソリューションが提供されています。

代表的なアプリケーションシナリオ:

ポータブル電子デバイス: スマートフォンやタブレットなどのバッテリー駆動デバイスの電源管理

DC-DC コンバーター: バック、ブースト、バックブーストトポロジーの主なスイッチングデバイス

車載電子システム: 電動ウィンドウやシート調整などのボディコントロールモジュール

コンピューター周辺機器: USB 電源スイッチとホットスワップ保護回路

LED ドライバ回路: 高効率定電流ドライブソリューションのコアスイッチング素子

中電圧 MOSFET (150V-500V) 製品とアプリケーション

中電圧 MOSFET 製品ラインは、150V から 500V の電圧範囲をカバーしており、低電圧デバイスと高電圧モジュール間の重要な性能ギャップを埋めています。これらの MOSFET は、産業用電源、車載エレクトロニクス、通信機器などの中電力アプリケーションで中心的な役割を果たし、性能、効率、コストの 3 つの主要な要素のバランスを取り、数多くの電子システム設計に不可欠なコンポーネントとなっています。

主なアプリケーション分野の分析:

産業用電源システム: スイッチングモード電源 (SMPS)、無停電電源装置 (UPS) PFC および DC-DC 変換ステージ

車載電化アプリケーション: 電動パワーステアリング (EPS)、48V マイルドハイブリッドシステムの電力変換

通信インフラストラクチャ: 基地局電源、サーバー電源の高効率変換回路

家電製品: 可変周波数エアコンおよび洗濯機ドライブのインバータセクション

再生可能エネルギー: 小型ソーラーインバーターの一次変換ステージ

高電圧 MOSFET (600V–900V) およびパワーモジュールソリューション

高電圧 MOSFET 製品ラインは、600V から 900V の電圧範囲をカバーしています。これらのデバイスは、高電力電子システムのコアコンポーネントであり、過酷な産業環境に耐え、高効率変換要件を満たすように特別に設計されています。ソーラーインバーター、産業用モータードライブ、電気自動車充電ステーションなどの高電圧アプリケーションでは、高電圧 MOSFET の性能がシステムの全体的な効率、信頼性、およびコスト効率を直接決定します。

技術アーキテクチャと性能上の利点:

ON の高電圧 MOSFET は、多層エピタキシャルスーパージャンクション技術を利用し、ドーピングプロファイルを正確に制御し、セル構造を最適化して、高い遮断電圧を維持しながらオン抵抗を大幅に低減しています。従来のプレーナー MOSFET と比較して、この設計により RDS(on) が 1 桁減少し、伝導損失が大幅に削減されます。たとえば、ON の 900V スーパージャンクション MOSFET は、同じチップ面積で従来のデバイスよりも 50% 以上低い伝導損失を実現しています。高電圧 MOSFET は、高度なゲート設計も組み込んでおり、ゲート電荷 (Qg) とミラー容量 (Crss) を最適化して、より高速なスイッチング速度とより低いスイッチング損失を実現し、高周波スイッチングアプリケーションに特に適しています。

主なアプリケーション分野と設計上の考慮事項:

ソーラーインバーター: 太陽光発電システムの DC-AC 変換のコアコンポーネントであり、高効率と長寿命が求められます

産業用モータードライブ: 可変周波数ドライブおよびサーボドライブの電力スイッチング素子であり、高周波スイッチングと誘導負荷に耐えることができます

電気自動車インフラストラクチャ: 充電ステーションの AC-DC および DC-DC 変換ステージであり、高電力密度の課題に直面しています

溶接装置: インバーター溶接機の高周波スイッチングコンポーネントであり、高い信頼性と堅牢性が求められます

高電圧 DC-DC 変換: データセンター電源および通信電源のバス変換ステージ 小信号 MOSFET 製品と技術的特徴

小信号 MOSFET 製品は、高電力 MOSFET の電力処理能力には匹敵しませんが、精密電子回路において不可欠な役割を果たしています。これらのデバイスは、主に低電流、低電圧のスイッチングおよび増幅アプリケーション向けに設計されています。優れた高周波特性と高入力インピーダンスにより、アナログスイッチ、信号調整、負荷スイッチングなどのアプリケーションに最適です。小信号 MOSFET は、小型パッケージングと低消費電力特性により、最新の電子デバイスで広範囲かつ詳細なアプリケーション浸透を実現しています。

基本構造と動作原理:

小信号 MOSFET は、ソース (Source)、ドレイン (Drain)、ゲート (Gate) の 3 つの端子を備え、パワー MOSFET と同様の基本構造を共有しています。ただし、設計の優先順位は根本的に異なります。小信号 MOSFET は、高電流処理能力ではなく、高周波応答と線形領域特性に最適化されています。チャネルタイプに基づいて、N チャネルと P チャネルに分類されます。動作モードに基づいて、エンハンスメントモードとデプレッションモードにさらに分類されます。ON Semiconductor の小信号 MOSFET 製品ラインは、これらすべてのタイプをカバーしており、設計エンジニアに包括的な選択肢を提供しています。これらのデバイスは通常、プレーナープロセスを使用して製造され、ゲート酸化膜は、高い相互コンダクタンス (gfs) と低いゲート電荷 (Qg) を実現しながら、信頼性を確保するように慎重に設計されています。

主な性能パラメータ分析:

しきい値電圧 (Vgs(th)): 通常 0.5–3 V で、低電圧回路での直接駆動に適しています

相互コンダクタンス (gfs): ドレイン電流に対するゲート電圧の制御を反映します。値が大きいほど、ゲインが大きくなります

入力容量 (Ciss): スイッチング速度に影響します。小信号 MOSFET は通常、非常に低い入力容量を持っています

オン抵抗 (RDS(on)): パワー MOSFET ほど重要ではありませんが、それでも信号経路の損失に影響します

ドレイン-ソース間耐圧 (BVdss): 小信号モデルでは通常 20V–100V で、ほとんどの信号処理要件を満たしています

代表的なアプリケーションシナリオ:

アナログスイッチとマルチプレクサ: オーディオ信号ルーティング、データ収集システムのチャネルスイッチング

高周波アンプ回路: RF フロントエンド、通信機器の低ノイズアンプ (LNA)

負荷スイッチと電源管理: サブシステム電源のオン/オフスイッチングの制御

信号調整回路: センサーインターフェースの信号調整とインピーダンス変換

デジタルロジックインターフェース: レベル変換とバス駆動