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シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.全新で正規のアルファ&オメガ半導体 (AOS) を供給していますAON6407Pチャネル電源MOSFETを供給し,使用されたユニットの高価値の買い戻しサービスを提供しています.この製品は,高度な溝MOSFET技術と低抵抗DFNパッケージを組み合わせて,非常に低抵抗を達成します負荷切換やバッテリー保護などの高電流アプリケーションに適しています
AON6407製品仕様:
製品タイプ:Pチャネル電源モスフェット
メーカー:アルファ&オメガセミコンダクター (AOS/Bandai USA)
テクノロジープラットフォーム:高度なトランッチMOSFET技術
定数電圧 (VDS): -30V
連続流出電流 (ID): -32A (Ta=25°C) / -85A (Tc=25°C)
パルス流出電流: -200A
オンレジスタンス (RDS ((オン)): <4.5mΩ @ VGS=-10V,ID=-20A
< 6.0mΩ @ VGS=-6V,ID=-20A
ゲート・ソース電圧 (VGS): ±25V
限界電圧 (VGS ((th)): -1.6V ~ -2.6V (典型的な: -2.1V)
パワー分散 (Ptot): 7.3W (Ta=25°C) / 83W (Tc=25°C)
入力電容量 (Ciss): 3505pF @ VDS=-15V
出力容量 (Coss): 900 pF
交叉結合容量 (Crss): 650 pF
総ゲート電荷 (Qg): 75 nC から 105 nC @ VGS = -10 V
切り替え時間: オン遅延 14 ns / オフ遅延 94 ns
ボディダイオードの逆回復時間 (Trr): 35 ns
雪崩エネルギー (EAS): 101mJ
動作温度範囲: -55°Cから+150°C (TJ)
パッケージタイプ:DFN5×6-8L (8ピン,5×6mm)
マウントタイプ: 表面マウント (SMD)
AON6407製品の特徴:
超低オン抵抗: RDS (オン) < 4.5 mΩ VGS = -10 V と < 6.0 mΩ VGS = -6 V で,オン状態の電源消耗を大幅に減少させる
高電流能力: 85A (ケース温度 25°C) まで連続流出電流と200Aまでパルス電流,高電流アプリケーションの要求を満たす
コンパクトなパッケージ:DFN5×6-8L表面マウントパッケージはPCBスペースを節約し,高密度設計に適しています
急速切換特性: オン・デレームはわずか14 ns,オフ・デレームは94 nsで,高周波切換アプリケーションをサポートする
優れた熱性能: 1.1°C/W の低温のコン junction-to-case 熱抵抗, 83W の電源消耗をサポートする
高い信頼性:産業用グレードの認証があり, -55°Cから+150°Cまでの幅広い動作温度範囲
AON6407応用分野:
負荷切換
バッテリー保護回路
DC-DC変換機
シンクロン直線器
モーター駆動制御
電力管理システム
自動車用電子機器 (バッテリー管理ユニット,電源調節)
電子部品のプロのサプライヤーとして,Mingjiada Electronicsは正規のAOS AON6407PチャネルMOSFETの長期的かつ安定した供給を提供し,高価値の買い戻しサービスを提供しています.調達や再購入のパートナーシップに関する問い合わせを歓迎します!

