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会社ブログについて ルネサス パワーディスクリート製品: GaN パワーディスクリート、パワーMOSFET

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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ルネサス パワーディスクリート製品: GaN パワーディスクリート、パワーMOSFET
最新の会社ニュース ルネサス パワーディスクリート製品: GaN パワーディスクリート、パワーMOSFET

ルネサスパワーディスクリートの供給:GaNパワーディスクリート、パワーMOSFET

 

深セン明佳達電子有限公司は、電子部品業界をリードするサプライヤーであり、豊富な業界経験とグローバルなサプライチェーンリソースを活用して、世界中のお客様に高品質な電子部品供給サービスを提供しています。

 

主な製品には以下が含まれます:5Gチップ、新エネルギーIC、IoT IC、Bluetooth IC、車載ネットワークIC、車載グレードIC、通信IC、人工知能IC、メモリIC、センサーIC、マイクロコントローラーIC、トランシーバーIC、イーサネットIC、WiFiチップ、無線通信モジュール、コネクタ、およびその他の電子部品。

 

供給の利点:

品質保証:すべてのモデルは、オリジナルメーカーまたは正規代理店から調達されており、完全なオリジナルメーカー認証と品質トレーサビリティサービスが提供されています。

柔軟な調達:少量サンプル調達と大量注文をサポートし、競争力のある価格戦略を提供します。

迅速な配送:深セン本社とグローバルなロジスティクスネットワークを活用し、迅速な注文対応とタイムリーな配送を保証します。

 

ルネサスのパワーディスクリートデバイスは、インフラ、自動車、産業市場における中電力から高電力アプリケーションに焦点を当てています。

 

GaNパワーディスクリート

高スイッチング周波数と高密度アプリケーション向けの窒化ガリウム(GaN)FET

 

ルネサスは、パワー窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)のパイオニアであり、25Wから10kWまでの幅広いアプリケーションにわたって、信頼性の高い高性能ソリューションを提供しています。2,000万個以上の高電力および低電力デバイスを出荷しており、当社の製品は合計で3,000億時間を超えるフィールド運用を蓄積しています。これらの実績は、GaNの固有の性能上の利点を活用する、ユニークで本質的に優れたアーキテクチャによって実現されています。

 

パワーMOSFET

低オン抵抗、高速スイッチング、高ロバスト性のMOSFET

 

ルネサスのパワーMOSFETは、システムの小型化と高効率化をサポートします。インバーターやコンバーターなどの電力変換アプリケーションだけでなく、負荷スイッチの目的にも適しており、高いロバスト性を実現します。さらに、ルネサスは、新しい12インチラインの設立により生産能力の増強に取り組み、安定供給を目指しています。

パブの時間 : 2025-06-20 14:44:09 >> ニュースのリスト
連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Mr. Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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