会社ブログについて 供給/要求された東洋OSG65R強化ゲートNチャネル電源MOSFET: サーバー電源アプリケーション用

AIのコンピューティング能力の爆発的な成長の中で サーバーの電源はより高効率とより高い電源密度の方向に急速に進化しています電源変換システムにおけるコアスイッチ装置として東洋半導体電池の性能は,システムの全体的なエネルギー効率と信頼性を直接決定します.OSG65RグリーンMOS®超接続技術を用いた強化モードNチャンネル電源MOSFETシリーズは,サーバー電源の主要な電源段階において重要な利点を示しています.PFCブーストコンバーターやLLC共鳴コンバーターなど電子部品のサプライチェーンで約30年の経験を持つ専門販売業者である深?? ミンジアダ電子株式会社は,OSG65R競争力のある価格で購入し,リサイクルしています.

私は...OSG65R製品概要: 国内用高圧超接続MOSFETの基準

OSG65Rは,Dongwei SemiconductorのGreenMOS®シリーズからの強化モードNチャネル高圧超接続電源MOSFETです. TO-247-3Lパッケージに収蔵されています.優秀な市場業績で"中国チップ"賞を受賞しました先進的な充電バランスプロセスに基づいて,深溝エッチングとエピタキシアル・フィール技術を利用し,ゲート充電とスイッチ損失を最適化しながらオン抵抗を削減します.超高速復元ボディダイオード (FRD) を搭載これは,逆復元時間を効果的に短縮し,それによって電源システムの変換効率と運用安定性を向上させる.

国内で生産される高性能高電圧高電流電源装置の基準製品として,OSG65R038HZFは外国ブランドの同等の製品を代替することに成功しました.高電圧超接続MOSFETの輸入への依存をなくす.

II についてOSG65R基本規格

装置タイプ:Nチャネル超接続MOSFET

排気源電圧 VDS: 650 V (最大耐電電圧 700 V)

連続流出電流 ID (25 °C): 80 A

パルス抜流電流 ID パルス:240A

オン抵抗 RDS (オン) 最大 (VGS=10 V): 38 mΩ

総ゲートチャージ Qg: 157.5 〜 175 nC

ゲート・ソース・電圧 VGS: ±30 V

パッケージ:TO-247-3L

動作交差点温度 Tj: 55〜150 °C

III についてOSG65R特徴

低RDS (オン) とFOM

切り替え損失が非常に低い

優れた安定性と均質性

超高速で頑丈なボディダイオード

IVOSG65R申請

パーソナルコンピュータの電源

電気通信用電源

サーバーの電源

電気自動車の充電器

自動車運転手

ミンジアダ電子:OSG65R備蓄と調達サービス

1996年に設立された深?? 明治田電子株式会社 (株) は,電子部品の世界的に有名な認可独立販売業者.同社はISO 9001に認定されています.2014年 品質管理システムとISO 14001:2014年 環境管理システム基準,および200万のラインアイテムのストックを維持しています.

供給サービス:ミンジアダ・エレクトロニクスは 長期にわたって 本物のOSG65R038HZF注文の履行のための全新で本物のストックを提供し,直接卸売をサポートし,通常1日から3日間の配達期間があります.信頼性の高い品質を保証するために,すべての製品は公式のチャネルを通じて調達されます..

購入・リサイクルサービス:ミンジアダ電子は,電力半導体モデルのための全国的な高い価格の購入サービスを提供しています.OSG65R038HZF工場やトレーダーやソリューションプロバイダから 時代遅れのストック,エンド・オブ・ラインのストック,無効のICの在庫を購入し,供給からリサイクルまでの 一端的なコンポーネントサプライチェーンソリューションを提供します.

ミンジアダ・エレクトロニクスの連絡先は以下のとおりです.

テレフォン: +86 0755-83957301 / 86755-83294757

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