会社ブログについて [シリコンカービッドモスフェット供給] C3M0016120D 1.2kV 15mOHMS G3 SiCモスフェット

シェンzhen Mingjiaoda Electronics Co., Ltd [シリコンカービッドMOSFETの供給] 原産C3M0016120D 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFETを輸入し,Nチャネル1200V 115A ((Tc) 556W ((Tc) TO-247-3を通過

製品説明:

Wolfspeed SiC C3M MOSFETは,より高いスイッチング周波数とインダクタ,コンデンサ,フィルター,トランスフォーマーのためのデバイスサイズを削減します.SiC C3M MOSFET は,より高いシステム効率と,より低い冷却要件を提供します.MOSFET は,電力密度とシステム変換頻度も増加します.

C3M0016120D シリコンカービッド電源MOSFET C3MTM MOSFET技術 Nチャネル強化モード

製品仕様:

メーカー:Wolfspeed

製品カテゴリ:シリコンカービッドMOSFET

チャンネルモード: 強化

構成: 単機

停止時間: 27 ns

前向トランスコンダクタンス - min: 53 S

Id 連続流出電流: 115 A

最大動作温度: + 175 C

最低動作温度: -40°C

固定 スタイル: 穴 を 通し て

チャンネル数: 1チャンネル

パッケージ/ケース: TO-247-3

Pd電力の分散: 556 W

製品タイプ:シリコンモスフェット

Qgゲート充電: 207 nC

Rdsオン・ドレイン・オン抵抗: 22.3mOhms

上昇時間: 28 ns

工場パッケージ 量: 30

サブカテゴリ:トランジスタ

テクノロジー:SiC

トランジスタの極度:Nチャンネル

典型的なオフ遅延時間: 84 ns

典型的なオンアップ遅延時間: 174 ns

Vds - 排水源断熱電圧: 1.2 kV

Vgs - ゲート・ソースの電圧: - 8V, + 19V

Vgs th - ゲート・ソースの電圧: 1.8 V

単位重量: 6g

興味のある方は チェン氏に電話してください

電話番号: +86 134101018555

メール: sales@hkmjd.com

会社のホームページ:www.hkmjd.com について