明佳达電子は、の調達または詳細な製品ドキュメントについては、明佳達電子パワーデバイス部門までお問い合わせください:を在庫から提供しています。このWolfspeed製の650V炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、高度なTOLLパッケージを採用し、産業グレードの認証を取得しており、-40℃～+175℃の広い温度範囲で動作します。
Wolfspeedの第三世代SiC MOSFET技術の代表例として、C3M0120065Lは、導通損失、スイッチング性能、電力密度の大幅な最適化を実現しています。
の調達または詳細な製品ドキュメントについては、明佳達電子パワーデバイス部門までお問い合わせください: 主な特徴
このの調達または詳細な製品ドキュメントについては、明佳達電子パワーデバイス部門までお問い合わせください:は、650V電圧プラットフォーム内で超低オン抵抗を実現し、標準値はわずか12mΩ（V_GS=18V、I_D=20A）であり、最大118A（25℃、T_C=100℃）までの連続ドレイン電流をサポートしています。
低オン抵抗：157mΩ（最大）@ 6.76A、15V
高耐圧：650V
高速スイッチング性能：ゲート電荷（Qg）はわずか26nC @ 15V
高温対応：接合部温度範囲-40℃～+175℃
産業グレードの駆動電圧：+15V/-5V（推奨）、最大±19V/-8V
このの調達または詳細な製品ドキュメントについては、明佳達電子パワーデバイス部門までお問い合わせください:のTOLLパッケージ（TO-263-7）は、低熱抵抗と低リードインダクタンスを提供するだけでなく、ケルビンソース接続設計を採用しており、スイッチング損失を大幅に削減し、ゲートリンギングを抑制します。
の調達または詳細な製品ドキュメントについては、明佳達電子パワーデバイス部門までお問い合わせください: 技術的利点
Wolfspeedの第三世代SiC MOSFET技術プラットフォームで開発されたの調達または詳細な製品ドキュメントについては、明佳達電子パワーデバイス部門までお問い合わせください:は、優れたシステム全体の効率と高周波動作能力を提供します。
その堅牢なボディダイオードは、非常に低い逆回復電荷（標準66nC）を特徴とし、スイッチング損失を大幅に削減し、システムの信頼性を向上させます。
従来のシリコンベースのMOSFETと比較して、C3M0120065Lは、全温度範囲にわたってより安定したオン抵抗特性と低い寄生容量を示し、高電力密度設計を容易にします。
の調達または詳細な製品ドキュメントについては、明佳達電子パワーデバイス部門までお問い合わせください: 製品属性
メーカー：Wolfspeed
製品タイプ：炭化ケイ素MOSFET
実装スタイル：SMD/SMT
パッケージ/ケース：TOLL
トランジスタ極性：Nチャネル
チャネル数：1チャネル
Vds - ドレイン-ソース間耐圧：650 V
Id - 連続ドレイン電流：21 A
Rds On - ドレインオン抵抗：157 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧：-8 V、+19 V
Vgs th - ゲート-ソース間スレッショルド電圧：3.6 V
Qg - ゲート電荷：26 nC
最小動作温度： -40℃
最大動作温度：+175℃
Pd - 消費電力：86 W
チャネルモード：エンハンスメント
アプリケーション分野
このの調達または詳細な製品ドキュメントについては、明佳達電子パワーデバイス部門までお問い合わせください:は、以下のアプリケーションに最適です:
サーバーおよび電気通信電源
電気自動車充電システム（車載充電器（OBC）、高電圧DC-DCコンバーター）
エネルギー貯蔵システム（UPS、バッテリー管理システム）
太陽光発電インバーター
産業用電源
調達情報
明佳達電子は、の調達または詳細な製品ドキュメントについては、明佳達電子パワーデバイス部門までお問い合わせください:が新品でオリジナルであり、当日発送可能な十分な在庫があることを保証します。
このの調達または詳細な製品ドキュメントについては、明佳達電子パワーデバイス部門までお問い合わせください:は、テープ＆リール（TR）およびカットレングス（CT）形式でパッケージされており、柔軟な最小注文数量とサンプルが利用可能です。
お問い合わせ
C3M0120065Lの調達または詳細な製品ドキュメントについては、明佳達電子パワーデバイス部門までお問い合わせください:担当者：Mr. Chen
電話番号：+86 13410018555
メール：sales@hkmjd.com
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