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商品の詳細:
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| FETのタイプ: | N-Channel | 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 1200ボルト |
|---|---|---|---|
| Vgs （最高）: | +20V、-5V | 電力損失（最高）: | 455W （Tc） |
| 実用温度: | -55°C | 175°C （TJ） | タイプの取付け: | 穴を通して |
| パッケージ/場合: | TO-247-4 | ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 15V、18V |
| ハイライト: | IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC,GaN IC 1200V,Gan Fetのトランジスター14 mohm |
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トランジスターIMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ SiC堀MOSFET TO247のパッケージ
記述
CoolSiC™ 1200ボルト、信頼性と性能を結合するために最大限に活用される最新式の堀の半導体プロセスのTO247-4パッケージの造りの14のmΩ SiC MOSFET。従来のケイ素（Si）と比較してIGBTsおよびMOSFETsのようなスイッチを、SiC MOSFETある一連の利点が基づかせていた。これらは1200のVスイッチに、見られる最も低いゲート充満および装置キャパシタンス レベル、内部代わりの証拠ボディ ダイオードの逆の回復損失、温度の独立した低い転換の損失および境界なしのオン州char4acteristic含んでいない。CoolSiC™のMOSFETsは力率訂正（PFC）回路のようなハードおよび共鳴切換えの地勢学、二方向の地勢学およびDC-DCのコンバーターまたはDC-ACインバーターにとって理想的である。
特徴の概要
| FETのタイプ: | N-Channel | 源の電圧（Vdss）に流出させなさい: | 1200ボルト |
|---|---|---|---|
| Vgs （最高）: | +20V、-5V | 電力損失（最高）: | 455W （Tc） |
| パッケージ/場合: | TO-247-4 | ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 15V、18V |
利点
適用
図表
FAQ
Q.あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
