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商品の詳細:
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| 構成: | 非逆になる逆になること | パッケージ/場合: | VQFN-54 |
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| 供給電圧: | 7.5 V - 18ボルト | 実用温度: | -40°C | 125°C |
| 上昇時間: | 2.5 ns | 落下時間: | 21 ns |
| ハイライト: | LMG3425R030RQZR Gan Fetのゲートの運転者,Gan Fetのゲートの運転者VQFN54,VQFN54は橋Ganの半分運転者を統合した |
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統合された運転者および理想的なダイオード モードVQFN54のゲートの運転者LMG3425R030RQZR GaN FET
記述
統合された運転者および保護のLMG342xR030 GaN FETはデザイナーがパワー エレクトロニクス システムの出力密度そして効率の新しいレベルを達成することを可能にする。LMG342xR030は150 V/nsに転換をスピードをあげる可能にするケイ素の運転者を統合する。チタニウムの分離したケイ素 ゲートの運転者と比較されるより高い切換えSOAの統合された精密ゲート バイアス結果。チタニウムのlow-inductanceパッケージと結合されるこの統合はハード切換えの電源の地勢学できれいな切換えそして最低に鳴ることを提供する。調節可能なゲート ドライブ強さは20 V/nsからの積極的にEMIを制御し、切換えの性能を最大限に活用するのに使用することができる150 V/nsにスルー・レートの制御を可能にする。LMG3425R030は適応性がある死時間制御を可能にすることによって三番目の象限儀の損失を減らす理想的なダイオード モードを含んでいる。
指定
| さまざまな運転者IC - | |
| 高側の低側 | |
| SMD/SMT | |
| VQFN-54 | |
| 1人の運転者 | |
| 1出力 | |
| 7.5 V | |
| 18ボルト | |
| 非逆になる逆になること | |
| 2.5 ns | |
| 21 ns | |
| - 40 C | |
| + 125 C |
適用
特徴
伝搬遅延およびスルー・レートを定める測定
FAQ
Q.あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
