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商品の詳細:
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| 実用温度: | -40°C | 125°C （TJ） | 供給電圧: | 7.5 V | 18ボルト |
|---|---|---|---|
| 上昇時間: | 2.5 ns | 落下時間: | 21 ns |
| 構成: | 非逆になること | 製品タイプ: | ゲートの運転者 |
| ハイライト: | LMG3425R050RQZR Gan Mosfetの運転者,Gan Mosfetの運転者のケイ素,統合されるGan Fetの運転者 |
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統合された運転者が付いているケイ素の運転者LMG3425R050RQZRのゲートの運転者のGaN FET
記述
LMG3425R050RQZRは150 V/nsに転換をスピードをあげる可能にするケイ素の運転者を統合する。チタニウムの分離したケイ素 ゲートの運転者と比較されるより高い切換えSOAの統合された精密ゲート バイアス結果。チタニウムのlow-inductanceパッケージと結合されるこの統合はハード切換えの電源の地勢学できれいな切換えそして最低に鳴ることを提供する。調節可能なゲート ドライブ強さは20 V/nsからの積極的にEMIを制御し、切換えの性能を最大限に活用するのに使用することができる150 V/nsにスルー・レートの制御を可能にする。LMG3425R050は適応性がある死時間制御を可能にすることによって三番目の象限儀の損失を減らす理想的なダイオード モードを含んでいる。
指定
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実用温度: |
-40°C | 125°C （TJ） |
供給電圧: |
7.5 V | 18ボルト |
|---|---|---|---|
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上昇時間: |
2.5 Ns |
落下時間: |
21 Ns |
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構成: |
非逆になること |
製品タイプ: |
ゲートの運転者 |
特徴
ハード切換えの地勢学のJEDEC JEP180のために修飾される
統合されたゲートの運転者が付いている600-V GaN Si FET
統合された高精度のゲート バイアス電圧
200-V/ns CMTI
3.6MHz転換の頻度
20-V/nsへの150-V/nsは性能およびEMIの軽減の転換の最適化のためのスルー・レートを
7.5-Vから18-V供給に作動する
強い保護
抵抗720-Vのサージの間のハード切換えの周期によ周期の < 100-ns="" response="">
過電流そして掛け金を降ろされたshortcircuitの保護
内部温度過昇およびUVLOの監視からの自己防衛
高度力管理
デジタル温度PWMは出力した
理想的なダイオード モードはLMG3425R050の三番目の象限儀の損失を減らす
FAQ
Q.あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
