LMG3411R150RWHR Ganの運転者IC 6A VQFN32の電力配分スイッチIC Nチャネル

負荷運転者LMG3411R150RWHRの電力配分はNチャネル6A VQFN32を転換する

記述

統合された運転者および保護のLMG3411R150RWHR GaN FETはデザイナーがパワー エレクトロニクス システムの出力密度そして効率の新しいレベルを達成することを可能にする。ケイ素のMOSFETs上のこの装置の固有の利点は80%大いに損失をによって転換することを減るように超低い入出力キャパシタンス、ゼロ逆の回復およびEMIを減らすために鳴る低いスイッチ ノードを含んでいる。これらの利点はトーテムポールPFCのような密で、有効な地勢学を可能にする。

指定

特徴

• 加速された信頼性の内部適用ハード切換えのプロフィールによって修飾されるGaNプロセス

• 高密度力転換の設計を可能にする

• cascodeまたはGaNの独立FETs上の優秀なシステム パフォーマンス

• 低いインダクタンス8設計およびレイアウトの容易さのためのmmの× 8 mm QFNのパッケージ

• 転換の性能およびEMI制御のための調節可能なドライブ強さ

• デジタル欠陥の状態の出力信号

• 必要とされる調節されていない供給の+12ボルトだけ

• 統合されたゲートの運転者

• ゼロ共通のソースインダクタンス

• 高周波設計のための20 ns伝搬遅延

• 境界の変化を補う整えられたゲート バイアス電圧は信頼できる切換えを保障する

• 100-V/ns調節可能なスルー・レートへの25-V/ns

• 強い保護

• 外的な保護部品を要求しない

• 過電流保護との <100 ns="" response="">

• 150-V/nsスルー・レートの免除より大きい

• 一時的な過電圧の免除

• 過熱保護

• すべての供給の柵の不足電圧閉鎖（UVLO）保護

• 装置選択:

• LMG3410R150:掛け金を降ろされた過電流保護

• LMG3411R150:周期によ周期の過電流proection

Pin構成および機能

FAQ
Q.あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。