LMG3410R070RWHR GaN ICの電源スイッチの運転者PチャネルのGaNの運転者は統合した

GaN IC LMG3410R070RWHR パワースイッチドライバ GaN 組み込みドライバと保護

仕様

記述

LMG341xR070 GaN パワーステージは,ドライバと保護装置を組み込み,設計者がパワー電子システムで新しいレベルのパワー密度と効率を達成することを可能にします.

LMG341xR070は,シリコンMOSFETよりも固有の利点として,極低の入力と出力容量,ゼロのリバースリカバリーが含まれる.EMI を減らすために低スイッチノード鳴き声これらの優位性は,トーテムポールPFCのような密集的で効率的なトポロジーを可能にします.

特徴

• GaN プロセスは,アプリケーション内での高速信頼性による,ハードスイッチングミッションプロファイルによる資格化

• 高密度の電源変換設計を可能にします

• カスコードやスタンドアロンのGaN FETよりも優れたシステムパフォーマンス

• 設計と配置の容易さのために低誘導性8mm x 8mm QFNパッケージ

• スイッチングパフォーマンスとEMI制御のための調整可能な駆動強度

• デジタル障害状態の出力信号

• +12 V の非規制電源のみが必要

• 統合ゲートドライバー

• ゼロ共通源誘導力

• 20 ns 伝播遅延 MHz 動作

• 信頼性のためにプロセス調整されたゲートバイアス電圧

• 25~100V/ns ユーザが調整できるスローレート

• 強固 な 保護

• 外部保護部品を必要としない

• <100ns 応答する超電流保護

• >150V/ns スローレート 抵抗力

• 臨時超電圧抵抗

• 超温保護

• すべての供給線路のUVLO保護

簡略化されたブロック図

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よくある質問
Q. あなたの製品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
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A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです.
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
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