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集積回路の破片PSMN4R8-100BSEのN-channel 100V 4.8mΩのトランジスター

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片PSMN4R8-100BSEのN-channel 100V 4.8mΩのトランジスター

集積回路の破片PSMN4R8-100BSEのN-channel 100V 4.8mΩのトランジスター
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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: PSMN4R8-100BSE
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-263
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

集積回路の破片PSMN4R8-100BSEのN-channel 100V 4.8mΩのトランジスター

記述
部品番号: PSMN4R8-100BSE 製品の状況: アクティブ
パッケージ: TO-263 動作温度: 175 °C
タイプ: トランジスタ 供給電圧: 48V
ハイライト:

集積回路チップ PSMN4R8-100BSE、PSMN4R8-100BSE Nチャンネル 100V

,

PSMN4R8-100BSE N-channel 100V

統合回路チップ PSMN4R8-100BSE Nチャネル 100V 4.8mΩ トランジスタ

 

一般説明

PSMN4R8-100BSE標準レベルのNチャンネルMOSFETは,D2PAKパッケージで175°Cまで対応している. Nexperiaの"Next Power Live"ポートフォリオの一部.PSMN4R8-100BSEは最新の"ホットスワップ"コントローラを補完する - オンする際に実質的な突入電流に耐えるほど頑丈低RDS (オン) 特性で,温度を低くし,継続的な使用で効率を上げます. 48Vのバックプレーン/供給レールに基づいた通信システムに最適です.

 

特徴と利点

  • 優れた線形モードでの動作のために前向きに偏った安全操作エリアを強化
  • 低導電損失のRDS (RDS) は非常に低い

 

申請

  • 電子ファイューズ
  • ホットスワップ
  • 負荷スイッチ
  • ソフトスタート

 

パッケージの概要

集積回路の破片PSMN4R8-100BSEのN-channel 100V 4.8mΩのトランジスター 0

 

よくある質問
Q. あなたの製品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです.
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A:はい,私たちはサンプル注文と小規模な注文をサポートします. サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q:私の注文をどのように送りますか?安全ですか?
A:我々は,DHL,Fedex,UPS,TNT,EMSなどの船にエクスプレスを使用します.我々はまた,あなたの提案されたスポンダーを使用することができます.商品は,良い梱包で安全を確保し,我々はあなたの注文に製品のダメージに対して責任を負います.
Q:リードタイムはどうですか?
A:我々は5日以内にストックパーツを輸送することができます. ストックがない場合,私たちはあなたの注文量に基づいてあなたのためのリード時間を確認します.

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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