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商品の詳細:
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| 部品番号: | NTMFS4C024NT1G | ドレイン-ソース間電圧 (Vdss): | 30V |
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| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン): | 4.5V、10V | Vgs (最大): | ±20V |
| 動作温度: | -55℃～150℃(TJ) | 取付タイプ: | 表面実装 |
| ハイライト: | 集積回路チップ NTMFS4C024NT1G、集積回路チップ 2.8mOhm 低電力、2.8mOhm N チャネル Mosfet NTMFS4C024NT1G,Integrated Circuit Chip 2.8mOhm Low Power,2.8mOhm N Channel Mosfet NTMFS4C024NT1G |
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集積回路の破片NTMFS4C024NT1GのN-Channelのトランジスター30V 5-DFNパッケージ
特徴
製品特質
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プロダクト状態 |
活動的 |
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FETのタイプ |
N-Channel |
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技術 |
MOSFET （金属酸化物） |
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流出させなさいに源の電圧（Vdss） |
30ボルト |
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C |
21.7A （Ta）、78A （Tc） |
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） |
4.5V、10V |
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（最高） @ ID、VgsのRds |
2.8mOhm @ 30A、10V |
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Vgs （（最高） Th） @ ID |
2.2V @ 250µA |
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs |
30 NC @ 10ボルト |
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Vgs （最高） |
±20V |
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds |
1972 pF @ 15ボルト |
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電力損失（最高） |
2.57W （Ta）、33W （Tc） |
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実用温度 |
-55°C | 150°C （TJ） |
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タイプの取付け |
表面の台紙 |
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製造者装置パッケージ |
5-DFN （5x6） （8-SOFL） |
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パッケージ/場合 |
8-PowerTDFNの5つの鉛 |
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基礎プロダクト数 |
NTMFS4 |
適用
FAQ
Q.あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
