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5.8mOhm集積回路の破片NTMFS4C09NT1G N MOSFETのトランジスター8-PowerTDFNパッケージ

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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5.8mOhm集積回路の破片NTMFS4C09NT1G N MOSFETのトランジスター8-PowerTDFNパッケージ

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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: NTMFS4C09NT1G
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 8-PowerTDFN
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

5.8mOhm集積回路の破片NTMFS4C09NT1G N MOSFETのトランジスター8-PowerTDFNパッケージ

記述
部品番号: NTMFS4C09NT1G 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C: 9A (タ)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン): 4.5V、10V Rds On (Max) @ Id、Vgs: 5.8ミリオーム@30A、10V
Vgs(th) (最大) @ Id: 2.1V @ 250μA 動作温度: -55℃~150℃(TJ)
ハイライト:

5.8mOhm 集積回路チップ NTMFS4C09NT1G、集積回路チップ NTMFS4C09NT1G、NTMFS4C09NT1G N MOSFET トランジスタ

,

Integrated Circuit Chip NTMFS4C09NT1G

,

NTMFS4C09NT1G N MOSFET Transistor

集積回路チップ NTMFS4C09NT1G MOSFET N チャネルトランジスタ 8-PowerTDFN パッケージ

 

特徴

  • 低RDS(on)で伝導損失を最小化
  • ドライバの損失を最小限に抑えるための低静電容量
  • スイッチング損失を最小限に抑える最適化されたゲート電荷
  • これらのデバイスは、鉛フリー、ハロゲン フリー/BFR フリーであり、RoHS に準拠しています。

 

アプリケーション

  • CPU 電力供給
  • DC-DCコンバーター

 

メカケース概要

5.8mOhm集積回路の破片NTMFS4C09NT1G N MOSFETのトランジスター8-PowerTDFNパッケージ 0

 

よくある質問
Q. オリジナル商品ですか?
A:はい、すべての製品はオリジナルです。新しいオリジナルの輸入が私たちの目的です。
Q:どの証明書がありますか?
A:私たちは ISO 9001:2015 認定企業であり、ERAI のメンバーです。
Q:少量の注文またはサンプルをサポートできますか?サンプルは無料ですか?
A:はい、サンプル注文と少量注文をサポートしています。サンプル費用は、注文またはプロジェクトによって異なります。
Q: どのように私の注文?安全ですか?
A:DHL、Fedex、UPS、TNT、EMSなどのエクスプレスを使用して発送します。提案されたフォワーダーも使用できます。
Q: リードタイムはどうですか?
A: 在庫部品は 5 営業日以内に発送できます。在庫がない場合は、ご注文数量に基づいてリードタイムを確認します。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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