|
|
商品の詳細:
|
| 部品番号: | AIMBG120R020M1 | パッケージ: | PG-TO263-7 |
|---|---|---|---|
| 動作温度: | -55℃～175℃ | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 1200V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 81A | マウントタイプ: | 表面マウント |
| ハイライト: | AIMBG120R020M1 集積回路チップ、集積回路チップ Mosfet、自動車用 SiC Mosfet トランジスタ,Integrated Circuit Chip Mosfet,Automotive SiC Mosfet Transistors |
||
自動車用集積回路チップ AIMBG120R020M1 SiC Mosfet トランジスタ
AIMBG120R020M1の説明
AIMBG120R020M1 は、自動車ファミリ向けの 1200V SiC Mosfet であり、ハイブリッド車および電気自動車の現在および将来のオンボード充電器および DC-DC アプリケーション向けに開発されました。
の仕様AIMBG120R020M1
|
C問題 |
2281pF |
|
Coss |
123pF |
|
私D(@25℃)最大 |
81A |
|
動作温度分 最大 |
-55℃ 175℃ |
|
P合計(@ Tあ=25℃)最大 |
350W |
|
パッケージ |
TO-263-7 |
|
QG |
83nC |
|
RDS (オン)(@Tj=25℃) |
20mΩ |
|
RthJC 最大 |
0.5K/W |
|
ⅤDS 最大 |
1200V |
AIMBG120R020M1の特長
非常に低いスイッチング損失
スレッショルドフリーのオン状態特性
0Vターンオフゲート電圧
ベンチマークゲート閾値電圧 VGS(th)=4.5V
完全に制御可能な dv/dt
同期整流の準備が整ったコミュテーションの堅牢なボディ ダイオード
温度に依存しないターンオフ スイッチング損失
スイッチング性能を最適化するためのセンスピン
HV沿面距離要件に適合
の潜在的なアプリケーションAIMBG120R020M1
車載充電器
DC-DC コンバーター
よくある質問
Q. オリジナル商品ですか？
A：はい、すべての製品はオリジナルです。新しいオリジナルの輸入が私たちの目的です。
Q:どの証明書がありますか?
A:私たちは ISO 9001:2015 認定企業であり、ERAI のメンバーです。
Q:少量の注文またはサンプルをサポートできますか?サンプルは無料ですか?
A：はい、サンプル注文と少量注文をサポートしています。サンプル費用は、注文またはプロジェクトによって異なります。
Q: どのように私の注文?安全ですか？
A：DHL、Fedex、UPS、TNT、EMSなどのエクスプレスを使用して発送します。提案されたフォワーダーも使用できます。
Q: リードタイムはどうですか?
A: 在庫部品は 5 営業日以内に発送できます。在庫がない場合は、ご注文数量に基づいてリードタイムを確認します。
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
