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AIMBG120R040M1 集積回路チップ自動車用 1200V MOSFET トランジスタ

認証
中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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AIMBG120R040M1 集積回路チップ自動車用 1200V MOSFET トランジスタ

AIMBG120R040M1 集積回路チップ自動車用 1200V MOSFET トランジスタ
AIMBG120R040M1 Integrated Circuit Chip Automotive 1200V MOSFET Transistors
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大画像 :  AIMBG120R040M1 集積回路チップ自動車用 1200V MOSFET トランジスタ

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: AIMBG120R040M1
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO263-7
受渡し時間: 5-8 仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウエスタンユニオン

AIMBG120R040M1 集積回路チップ自動車用 1200V MOSFET トランジスタ

記述
部品番号: AIMBG120R040M1 動作温度: -55℃~175℃
商品状態: アクティブ 取付タイプ: 表面実装
ID (@25°C) 最大: 48A
ハイライト:

AIMBG120R040M1 集積回路チップ、MOSFET 集積回路チップ、1200V MOSFET トランジスタ

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MOSFET Integrated Circuit Chip

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1200V MOSFET Transistors

集積回路チップ AIMBG120R040M1 自動車用 1200V MOSFET トランジスタ

 

AIMBG120R040M1の説明

AIMBG120R040M1 は、自動車ファミリ向けの 1200V SiC Mosfet であり、現在および将来のハイブリッド車および電気自動車の車載充電器および DC-DC アプリケーション向けに開発されました。最先端の SiC トレンチ技術に基づいて、信頼性、品質、性能に対する自動車業界の高い要求。

 

AIMBG120R040M1の特長
非常に低いスイッチング損失
スレッショルドフリーのオン状態特性
0Vターンオフゲート電圧
ベンチマークゲート閾値電圧 VGS(th)=4.5V
完全に制御可能な dv/dt
同期整流の準備が整ったコミュテーションの堅牢なボディ ダイオード
温度に依存しないターンオフ スイッチング損失
スイッチング性能を最適化するためのセンスピン
HV沿面距離要件に適合

 

AIMBG120R040M1のメリット
効率改善
より高い周波数の有効化
電力密度の向上
冷却労力の削減
システムの複雑さとコストの削減

 

よくある質問
Q. オリジナル商品ですか?
A:はい、すべての製品はオリジナルです。新しいオリジナルの輸入が私たちの目的です。
Q:どの証明書がありますか?
A:私たちは ISO 9001:2015 認定企業であり、ERAI のメンバーです。
Q:少量の注文またはサンプルをサポートできますか?サンプルは無料ですか?
A:はい、サンプル注文と少量注文をサポートしています。サンプル費用は、注文またはプロジェクトによって異なります。
Q: どのように私の注文?安全ですか?
A:DHL、Fedex、UPS、TNT、EMSなどのエクスプレスを使用して発送します。提案されたフォワーダーも使用できます。
Q: リードタイムはどうですか?
A: 在庫部品は 5 営業日以内に発送できます。在庫がない場合は、ご注文数量に基づいてリードタイムを確認します。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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