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パワー モジュール フォーパック トポロジー A2F12M12W2-F1 SiC パワー MOSFET IGBT モジュール フル ブリッジ

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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パワー モジュール フォーパック トポロジー A2F12M12W2-F1 SiC パワー MOSFET IGBT モジュール フル ブリッジ

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Power Module Fourpack Topology A2F12M12W2-F1 SiC Power MOSFET IGBT Module Full Bridge
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大画像 :  パワー モジュール フォーパック トポロジー A2F12M12W2-F1 SiC パワー MOSFET IGBT モジュール フル ブリッジ

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: A2F12M12W2-F1
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: モジュール
受渡し時間: 5-8 仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウエスタンユニオン

パワー モジュール フォーパック トポロジー A2F12M12W2-F1 SiC パワー MOSFET IGBT モジュール フル ブリッジ

記述
部品番号: A2F12M12W2-F1 Vr - 逆電圧: 1200V
Vgs - ゲート - ソース間電圧: -10V~22V 最低動作温度: - 40℃
最高動作温度: + 150℃ パッケージ: モジュール

パワー モジュール フォーパック トポロジー A2F12M12W2-F1 SiC パワー MOSFET IGBT モジュール フル ブリッジ

 

A2F12M12W2-F1の説明

この A2F12M12W2-F1 は、高度なシリコン カーバイド パワー MOSFET 技術を統合した 4 パック トポロジーの ACEPACK 2 パワー モジュールです。このモジュールは、ワイドバンドギャップ SiC 材料と高熱性能基板の革新的な特性を活用しています。その結果、単位面積あたりのオン抵抗が非常に低くなり、実質的に温度に依存しない優れたスイッチング性能が得られます。NTC センサーが設計を完成させます。

 

A2F12M12W2-F1の仕様

商品状態

アクティブ

構成

フルブリッジ

入力容量 (Cies) @ Vce

7nF @ 800V

入力

標準

NTCサーミスタ

はい

動作温度

175℃ (TJ)

取付タイプ

シャーシマウント

パッケージ・ケース

モジュール

サプライヤー デバイス パッケージ

エースパック™ 2

 

A2F12M12W2-F1の特長

フォーパック トポロジー

ACEPACK 2 電源モジュール

各スイッチの標準 RDS(on) は 13 mΩ

絶縁電圧 2.5 kVrms の UL 認定

内蔵 NTC 温度センサー

DBC Cu-Al2O3-Cu系

圧入コンタクトピン

 

A2F12M12W2-F1 のアプリケーション

DC/DCコンバータ

 

A2F12M12W2-F1 のパッケージ情報

パワー モジュール フォーパック トポロジー A2F12M12W2-F1 SiC パワー MOSFET IGBT モジュール フル ブリッジ 0

 

よくある質問

Q. オリジナル商品ですか?

A:はい、すべての製品はオリジナルです。新しいオリジナルの輸入が私たちの目的です。

Q:どの証明書がありますか?

A:私たちは ISO 9001:2015 認定企業であり、ERAI のメンバーです。

Q:少量の注文またはサンプルをサポートできますか?サンプルは無料ですか?

A:はい、サンプル注文と少量注文をサポートしています。サンプル費用は、注文またはプロジェクトによって異なります。

Q: どのように私の注文?安全ですか?

A:DHL、Fedex、UPS、TNT、EMSなどのエクスプレスを使用して発送します。提案されたフォワーダーも使用できます。

Q: リードタイムはどうですか?

A: 在庫部品は 5 営業日以内に発送できます。在庫がない場合は、ご注文数量に基づいてリードタイムを確認します。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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