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集積回路の破片STL24N60M6力MOSFETのトランジスター600V 8PowerVDFN

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片STL24N60M6力MOSFETのトランジスター600V 8PowerVDFN

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Integrated Circuit Chip STL24N60M6 Power MOSFET Transistors 600V 8PowerVDFN
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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: STL24N60M6
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 8-PowerVDFN
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

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記述
部品番号: STL24N60M6 ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs: 23 NC @ 10ボルト
最高RDS (): 209 mΩ Vgs (最大): ±25V
電力損失(最高): 109W (Tc) 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: 960 pF @ 100ボルト

集積回路の破片STL24N60M6力MOSFETのトランジスター600V 8PowerVDFN

 

STL24N60M6の製品の説明
STL24N60M6は単一のFETs動力を与えるMOSFETのトランジスター、低いゲートの入力抵抗に、実用温度である-55°C | 150°C (TJ)である。

 

STL24N60M6の製品特質

部品番号 STL24N60M6
FETのタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
600ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
15A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
10V
(最高) @ ID、VgsのRds
209mOhm @ 8.5A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID
4.75V @ 250µA
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)

 

STL24N60M6の特徴

  • 減らされた転換の損失
  • 区域ごとのより低いRDS ()対前の生成
  • 低いゲートの入力抵抗
  • 100%のなだれはテストした
  • Zener保護される

 

STL24N60M6の適用

  • 転換の適用
  • LLCのコンバーター
  • 倍力PFCコンバーター

 

切換えは時間を計る抵抗負荷(STL24N60M6)のためのテスト回路を

集積回路の破片STL24N60M6力MOSFETのトランジスター600V 8PowerVDFN 0

 

FAQ
Q.あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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