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商品の詳細:
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| 部品番号: | SCT1000N170AG | 全体の電力損失のTC = 25 °C: | 96w |
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| 保存温度範囲: | -55 200 °Cへの°C | 熱抵抗の接続点に場合: | 1.83 °C/W |
| 接続点に包囲された熱抵抗: | 40 °C/W | パッケージ: | HiP247 |
| ハイライト: | 1700V パワー MOSFET,7A 炭化ケイ素 MOSFET,自動車集積回路の破片 |
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このシリコンカーバイドパワーMOSFETは、広帯域ギャップ材料の高度で革新的な特性を活用して製造されています。
部品番号:
SCT1000N170AG
ドレイン-ソース間電圧:
1700 V
ゲート-ソース間電圧:
-10 ~ 22 V
ドレイン電流(連続) TC = 25 °C:
7A
ドレイン電流(連続) TC = 100 °C:
5A
ドレイン電流(パルス):
20A
部品番号
パッケージ
IPDQ65R099CFD7
PG-HDSOP-22
IPDQ65R125CFD7
PG-HDSOP-22
IQE046N08LM5CG
PG-TTFN-9
BSC007N04LS6SC
PG-WSON-8
IPB050N10NF2S
PG-TO263-3
IRF150P220
PG-TO247-3
IRF150P221
PG-TO247-3
IAUS200N08S5N023
PG-HSOG-8
IPA040N06NM5S
PG-TO220
IPA052N08NM5S
PG-TO220
IAUC100N04S6N028
PG-TDSON-8
ISC088N08NM6
PG-TDSON-8
1ED3330MC12M
PG-DSO-16
2EDR3140XQE
PG-DSO-14
2ED2410-EM
PG-TSDSO-24
2EDN7533F
PG-DSO-8
2EDN8534F
PG-DSO-8
6EDL04N065PT
PG-DSO-28
TLE9180D-21QK
PG-LQFP-64
1EDI20I12AF
PG-DSO-8
2EDS7165H
PG-DSO-16
IDWD150G120C5
PG-TO247-2
IDWD75G120C5
PG-TO247-2
IDWD60G120C5
PG-TO247-2
IDWD50G120C5
PG-TO247-2
MRMS166R
QFN
SCH16T-K20
SOIC-24
PE24108A
QFN
PE24110A
QFN
PE25200A
QFN
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753