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SICのMOSFETs SCT070HU120G3AG SICの集積回路の破片HU3PAK 1200V 63mΩ ICの破片

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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SIC MOSFETs SCT070HU120G3AG SIC Integrated Circuit Chip HU3PAK 1200V 63mΩ IC Chip
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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: SCT070HU120G3AG
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: HU3PAK
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

SICのMOSFETs SCT070HU120G3AG SICの集積回路の破片HU3PAK 1200V 63mΩ ICの破片

記述
部品番号: SCT070HU120G3AG 下水管源の電圧: 1200V
下水管の流れ(脈打つ): 100A ゼロ ゲートの電圧下水管の流れ(VGS = 0ボルト、VDS = 1200のV)最高: 10µA
最高ゲート ボディ漏出流れ(VDS = 0V、VGS = 22Vへの-10): ±100 nA 連続的なダイオードの前方現在(TC = 25 °C): 30A

SICのMOSFETs SCT070HU120G3AG SICの集積回路の破片HU3PAK 1200V 63mΩ ICの破片

 

SSCT070HU120G3AGの製品の説明

SCT070HU120G3AGは高度および革新的な第3世代別SiC MOSFETの技術を使用してこの炭化ケイ素力MOSFET装置開発された。

 

SCT070HU120G3AGの指定

部品番号: SCT070HU120G3AG 全体の電力損失のTC = 25 °C: 223W
保管温度の範囲: -55 175 °Cへの°C 熱抵抗、接続点に場合: 0.67 °C/W
接続点に包囲された熱抵抗: 50 °C/W パッケージ: HU3PAK

 

SICの集積回路の破片の特徴

  • 全体の温度較差上のまさに低いRDS ()
  • 高速転換の性能
  • 非常に速く、強く本質的なボディ ダイオード
  • 高められた効率のための源の感知ピン

 

SCT070HU120G3AGの適用

  • 主要なインバーター(電気牽引)

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
IRF1405 TO-220
IRF1407 TO-220
IRF1902 SOP-8
IRF2804 TO-220
IRF2807 TO-220
IRF2907 TO-220

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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