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30A SICの集積回路の破片SCT070H120G3AG Hの² PAK-7の炭化ケイ素力MOSFET

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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30A SICの集積回路の破片SCT070H120G3AG Hの² PAK-7の炭化ケイ素力MOSFET

30A SICの集積回路の破片SCT070H120G3AG Hの² PAK-7の炭化ケイ素力MOSFET
30A SIC Integrated Circuit Chip SCT070H120G3AG H²PAK-7 Silicon Carbide Power MOSFET
30A SICの集積回路の破片SCT070H120G3AG Hの² PAK-7の炭化ケイ素力MOSFET 30A SICの集積回路の破片SCT070H120G3AG Hの² PAK-7の炭化ケイ素力MOSFET

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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: SCT070H120G3AG
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: Hの² PAK-7
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

30A SICの集積回路の破片SCT070H120G3AG Hの² PAK-7の炭化ケイ素力MOSFET

記述
部品番号: SCT070H120G3AG 下水管源の電圧: 1200V
ゲート源の電圧: -10Vへの22V 現在を(連続的)でTC = 25 °C流出させなさい: 30A
現在を(連続的)でTC = 100 °C流出させなさい: 20A 全体の電力損失のTC = 25 °C: 223W

30A SICの集積回路の破片SCT070H120G3AG Hの² PAK-7の炭化ケイ素力MOSFET

 

SCT070H120G3AGの製品の説明

SCT070H120G3AGは低いキャパシタンスおよび非常に高い転換操作と結合される全体の温度較差上の非常に低いRDSを()特色にする。

 

SCT070H120G3AGの指定

部品番号: SCT070H120G3AG 下水管源の電圧: 1200V
現在を流出させなさい(脈打つ): 100A ゼロ ゲートの電圧下水管の流れ(VGS = 0ボルト、VDS = 1200のV)最高: 10µA
最高ゲート ボディ漏出流れ(VDS = 0V、VGS = 22Vへの-10): ±100 NA 連続的なダイオードの前方流れ(TC = 25 °C): 30A

 

SCT070H120G3AGの適用

  • EV/HEVのためのDC/DCのコンバーター

 

典型的な出力特性(TJ = SCT070H120G3AGの25 °C)

30A SICの集積回路の破片SCT070H120G3AG Hの² PAK-7の炭化ケイ素力MOSFET 0

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
IRF3315 TO-220
IRF3703 TO-220
IRF3704 TO-263
IRF3805 TO-263
IRF3808 TO-220
IRF5810 SOT23-6

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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