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55A力MOSFETのトランジスターSCT018H65G3AG SIC集積回路の破片HU2PAK-7

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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55A力MOSFETのトランジスターSCT018H65G3AG SIC集積回路の破片HU2PAK-7

55A力MOSFETのトランジスターSCT018H65G3AG SIC集積回路の破片HU2PAK-7
55A Power MOSFET Transistors SCT018H65G3AG SIC Integrated Circuit Chip HU2PAK-7
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大画像 :  55A力MOSFETのトランジスターSCT018H65G3AG SIC集積回路の破片HU2PAK-7

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: SCT018H65G3AG
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: HU2PAK-7
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

55A力MOSFETのトランジスターSCT018H65G3AG SIC集積回路の破片HU2PAK-7

記述
部品番号: SCT018H65G3AG パッケージ: HU2PAK-7
ゲート源の電圧: -10Vへの22V 接続点に包囲された熱抵抗: 50 °C/W
RDSの()タイプ。: 20 mΩ 下水管源の絶縁破壊電圧(VGS = 0ボルト、ID = 1 mA): 650V

55A力MOSFETのトランジスターSCT018H65G3AG SIC集積回路の破片HU2PAK-7

 

SCT018H65G3AGの製品の説明

SCT018H65G3AGは650Vの55A自動車等級の炭化ケイ素力MOSFETのトランジスター、高速転換の性能である。HU2PAK-7パッケージ。

 

SCT018H65G3AGの指定

部品番号: SCT018H65G3AG 全体の電力損失のTC = 25 °C: 385 W
現在を流出させなさい(脈打つ): 312 A 現在を(連続的)でTC = 100 °C流出させなさい: 55 A
熱抵抗、接続点に場合: 0.39 °C/W ゲート源の一時的な電圧、TP < 1=""> -11Vへの25V

 

SCT018H65G3AGの典型的なキャパシタンス特徴

55A力MOSFETのトランジスターSCT018H65G3AG SIC集積回路の破片HU2PAK-7 0

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
IRFHS8242 PQFN2X2
IRFI4024 TO-220-5
IRFI4024H TO-220-5
IRFI4410 TO-220F
IRFIZ46 TO-220F
IRFL4310 SOT-223

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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