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SICの集積回路の破片SCT011H75G3AG力MOSFETのトランジスター750V H2PAK-7

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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SICの集積回路の破片SCT011H75G3AG力MOSFETのトランジスター750V H2PAK-7

SICの集積回路の破片SCT011H75G3AG力MOSFETのトランジスター750V H2PAK-7
SIC Integrated Circuit Chip SCT011H75G3AG Power MOSFET Transistors 750V H2PAK-7
SICの集積回路の破片SCT011H75G3AG力MOSFETのトランジスター750V H2PAK-7 SICの集積回路の破片SCT011H75G3AG力MOSFETのトランジスター750V H2PAK-7

大画像 :  SICの集積回路の破片SCT011H75G3AG力MOSFETのトランジスター750V H2PAK-7

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: SCT011H75G3AG
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: H2PAK-7
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

SICの集積回路の破片SCT011H75G3AG力MOSFETのトランジスター750V H2PAK-7

記述
部品番号: SCT011H75G3AG 下水管源の電圧: 750ボルト
現在を(連続的)でTC = 25 °C流出させなさい: 110A 全体の電力損失のTC = 25 °C: 652 W
逆の移動キャパシタンス(VDS=400V、f=1MHz、VGS=0V)タイプ: 33.6pF ダイオード前方電圧(ISD=50A、VGS=0V)タイプ: 2.5V

SICの集積回路の破片SCT011H75G3AG力MOSFETのトランジスター750V H2PAK-7

 

SCT011H75G3AGの製品の説明

SCT011H75G3AGは炭化ケイ素力MOSFET装置、11.4のmOhmのタイプである。作動の接合部温度はである-55°Cへ175°C、全体の温度較差上の非常に低いRDS ()鳴った。

 

SCT011H75G3AGの指定

部品番号: SCT011H75G3AG パッケージ: Hの² PAK-7
ゲート源の電圧: -10Vへの22V 接続点に包囲された熱抵抗: 50 °C/W
RDSの()タイプ。: 11.4 MΩ 下水管源の絶縁破壊電圧(VGS = 0ボルト、ID = 1 MA)分: 750V

 

Hの² PAK-7は推薦した足跡(SCT011H75G3AG)を

SICの集積回路の破片SCT011H75G3AG力MOSFETのトランジスター750V H2PAK-7 0

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
IRFP4332 TO-247
IRFR15N20 TO-252
IRFR3410 TO-252
IRFR3505 TO-252
IRFS3307 TO-263
IRFS4228 TO-263

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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