商品の詳細:
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部品番号: | SCT040W120G3AG | 電力損失(最高): | 312W |
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Vgs ((最高) Th) @ ID: | 4.2V @ 5mA | ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: | 56 NC @ 18ボルト |
下水管の流れ(脈打つ): | 179 A | 入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds: | 1329 pF @ 800ボルト |
SICの集積回路の破片SCT040W120G3AGの炭化ケイ素HiP247広いBandgapのトランジスター
SCT040W120G3AGの製品の説明
SCT040W120G3AGの炭化ケイ素力MOSFET装置。装置は頻度、エネルギー効率、システムの大きさおよび重量の軽減の適用性能を改善する非常に高い転換操作結合される全体の温度較差上の非常に低いRDSを()特色にするおよび低いキャパシタンスと。
SCT040W120G3AGの指定
部品番号: | SCT040W120G3AG | FETのタイプ: | N-Channel |
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源の電圧(Vdss)に流出させなさい: | 1200ボルト | 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: | 40A (Tc) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): | 18V | (最高) @ ID、VgsのRds: | 54mOhm @ 16A、18V |
SCT040W120G3AGのパッケージの輪郭
在庫の他の電子部品
部品番号 | パッケージ |
IRFU9N20 | TO-251 |
IRFZ44 | TO-263 |
IRG4BC15 | TO-263 |
IRG4BC20 | TO-220 |
IRG4BC30 | TO-220 |
IRG4IBC10 | TO-220F |
FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
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