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集積回路の破片IAUTN06S5N008Tの単一のMOSFETsのトランジスターPG-HDSOP-16

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片IAUTN06S5N008Tの単一のMOSFETsのトランジスターPG-HDSOP-16

集積回路の破片IAUTN06S5N008Tの単一のMOSFETsのトランジスターPG-HDSOP-16
Integrated Circuit Chip IAUTN06S5N008T Single MOSFETs Transistors PG-HDSOP-16
集積回路の破片IAUTN06S5N008Tの単一のMOSFETsのトランジスターPG-HDSOP-16 集積回路の破片IAUTN06S5N008Tの単一のMOSFETsのトランジスターPG-HDSOP-16

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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: IAUTN06S5N008T
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: PG-HDSOP-16
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

集積回路の破片IAUTN06S5N008Tの単一のMOSFETsのトランジスターPG-HDSOP-16

記述
部品番号: IAUTN06S5N008T パッケージ: PG-HDSOP-16
プロダクト状態: 活動的 タイプ: トランジスタ
下位範疇: MOSFETs 実用温度: 175°C

集積回路の破片IAUTN06S5N008Tの単一のMOSFETsのトランジスターPG-HDSOP-16

 

IAUTN06S5N008Tの製品の説明

IAUTN06S5N008TはoptiMOS™ 5自動車力MOSFETの60のVのトランジスター、パッケージであるPG-HDSOP-16である。

 

IAUTN06S5N008Tの指定

部品番号:

IAUTN06S5N008T

VDS:

60V

RDS ():

0.79mΩ

ID (限られた破片):

503A

パッケージ:

PG-HDSOP-16

実用温度:

175°C

 

IAUTN06S5N008Tの特徴

  • 自動車適用のためのOptiMOS™力MOSFET

  • N-channel –強化モード–正常なレベル

 

他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ

BTS4300SGA

SOP8

TPS54335ADDAR

SOP-8

TLE7189F

QFN-48

AB1562AN

QFN

AB1562FN

QFN

QCC5125

BGA

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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