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破片の集積回路MT53E512M32D1ZW-046 AUT:BのSDRAM移動式記憶IC

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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破片の集積回路MT53E512M32D1ZW-046 AUT:BのSDRAM移動式記憶IC

破片の集積回路MT53E512M32D1ZW-046 AUT:BのSDRAM移動式記憶IC
Chip Integrated Circuit MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B SDRAM-Mobile Memory IC
破片の集積回路MT53E512M32D1ZW-046 AUT:BのSDRAM移動式記憶IC 破片の集積回路MT53E512M32D1ZW-046 AUT:BのSDRAM移動式記憶IC

大画像 :  破片の集積回路MT53E512M32D1ZW-046 AUT:BのSDRAM移動式記憶IC

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 200-TFBGA
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

破片の集積回路MT53E512M32D1ZW-046 AUT:BのSDRAM移動式記憶IC

記述
部品番号: MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B 記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム 技術: SDRAM -移動式LPDDR4X
記憶容量: 16Gbit 記憶構成: 512M x 32

破片の集積回路MT53E512M32D1ZW-046 AUT:BのSDRAM移動式記憶IC

 

MT53E512M32D1ZW-046 AUTの製品の説明:B

MT53E512M32D1ZW-046 AUT:BはSDRAMである-移動式LPDDR4Xの記憶IC 16Gbitは2.133 GHz 3.5 ns 200-TFBGA (10x14.5)を平行にする。

 

MT53E512M32D1ZW-046 AUTの指定:B

部品番号

MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B

記憶インターフェイス

平行

クロック周波数

2.133 GHz

周期にタイムの単語、ページを書きなさい

18ns

アクセス時間

3.5 ns

電圧-供給

1.06V | 1.17V

実用温度

-40°C | 125°C (TC)


MT53E512M32D1ZW-046 AUTの特徴:B

  • 熱心なモード・レジスタが付いている読まれた訓練パターン

  • 命令および住所ピン(VREFCA)および破片の選り抜きピン(VREFCS)のための内部参照の電圧

 

他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ

ADUC7020BCPZ62I

QFN

ADUC7023BCPZ62I

QFN

ADUC7121BBCZ

BGA

ADUCM320BBCZ

BGA

ADUCM350BBCZ

BGA

BFP640H

SOT343

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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