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商品の詳細:
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| 部品番号: | MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B | 時計の周波数: | 2.133 GHz |
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| サイクルの時間 - 単語,ページ: | 18ns | アクセス時間: | 3.5 ns |
| 電圧 - 供給: | 1.06V | 1.17V | 動作温度: | -40°C | 95°C （TC） |
メモリIC MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 200-TFBGA 表面マウント
製品説明MT3A3A3A3A3A3A3A3A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A
MT53E512M32D1ZW-046 AIT:Bは,内部でx16構成の8バンクDRAMとx4およびx8構成の16バンクDRAMとして構成された高速ダイナミックランダムアクセスメモリである.
仕様MT3A3A3A3A3A3A3A3A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A
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部品番号: |
MT3A3A3A3A3A3A3A3A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A |
メモリタイプ: |
揮発性 |
|---|---|---|---|
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メモリ形式: |
DRAM |
テクノロジー |
SDRAM - モバイルLPDDR4X |
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メモリサイズ: |
16Gbit |
記憶組織: |
512M × 32 |
特徴MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B
DDR3 よりも 50% 帯域幅を増やす
1.2V の低電圧流出 (コアとI/O) は,メモリの電源需要を減少させる
他の供給品種
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部分番号 |
パッケージ |
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C8051F330 |
QFN20 |
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C8051F336 |
QFN20 |
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C8051F390 |
QFN24 |
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C8051F396 |
QFN20 |
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C8051F411 |
QFN32 |
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C8051F850 |
QFN-20 |
よくある質問
Q: 商品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A: はい,私たちはサンプルオーダーと小規模なオーダーをサポートします. サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q: 注文はどのように送りますか?安全ですか?
A: 我々は,DHL,Fedex,UPS,TNT,EMSなどの船でエクスプレスを使用します.我々は,また,あなたの提案されたスポンダーを使用することができます.商品は,良い梱包で安全を確保し,我々はあなたの注文に製品のダメージに対して責任を負います.
Q: 待ち時間はどうですか?
A: ストック部品は5日以内に出荷できます. ストックがない場合は,注文量に基づいてリード時間を確認します.
コンタクトパーソン: Sales Manager
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