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集積回路の破片NVH4L080N120SC1 1200VのN-ChannelのMOSFETsのトランジスターTO-247-4

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片NVH4L080N120SC1 1200VのN-ChannelのMOSFETsのトランジスターTO-247-4

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集積回路の破片NVH4L080N120SC1 1200VのN-ChannelのMOSFETsのトランジスターTO-247-4 集積回路の破片NVH4L080N120SC1 1200VのN-ChannelのMOSFETsのトランジスターTO-247-4

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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: NVH4L080N120SC1
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: TO-247-4
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

集積回路の破片NVH4L080N120SC1 1200VのN-ChannelのMOSFETsのトランジスターTO-247-4

記述
部品番号: NVH4L080N120SC1 1200ボルト@ TJ: 175°C
RDSの()タイプ: 80 mΩ 単一の脈拍のなだれエネルギー: 171 mJ
VGS = 20ボルト、ID = 20 A: 最高RDS () = 110のm 作動および貯蔵の接合部温度の範囲: −55°Cへの+175°C

集積回路の破片NVH4L080N120SC1 1200VのN-ChannelのMOSFETsのトランジスターTO-247-4

 
NVH4L080N120SC1の製品の説明

抵抗および密集した破片のサイズで低いNVH4L080N120SC1低いキャパシタンスおよびゲート充満を保障するため。その結果、システム便益は高性能、より速い操作の頻度、増加された出力密度を含んでいたり、EMIおよび減らされたシステムの大きさを減らした。


NVH4L080N120SC1の指定

部品番号: NVH4L080N120SC1 技術: SiCFET (炭化ケイ素)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): 20V ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: 56 NC @ 20ボルト
(最高) @ ID、VgsのRds: 110mOhm @ 20A、20V 電力損失(最高): 170mW (Tc)

 

トランジスターの特徴

  • 1200ボルト@ TJ= 175°C
  • 100%のなだれはテストした
  • 低いキャパシタンスの高速切換え
  • 最高RDS () = 110のmのVGS = 20ボルト、ID = 20 A
  • AEC−Q101は可能なPPAP修飾し、

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
AP4800BGM-HF SOP-8
AP7217-33SG SOP-8
AP7217C-13 SOP-8
AP9412BGM SOP8
APA2308 SOP-8
APA4800 SOP8


FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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