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商品の詳細:
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| 部品番号: | DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 | 技術: | 炭化ケイ素（SiC） |
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| 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 1200V | Vgs （（最高） Th） @ ID: | 5.15V @ 20mA |
| パワー最高: | 20mW | パッケージ/場合: | モジュール |
自動車IGBTモジュールDF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2Nチャネルの炭化ケイ素モジュール
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1の製品の説明
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1はMosfetの配列1200V、45Aの20mWシャーシの台紙、2つのN-Channelのトランジスター モジュールである。
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1の指定
| 部品番号 | DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 |
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技術
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炭化ケイ素（SiC）
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構成
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2 N-Channel
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FETの特徴
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炭化ケイ素（SiC）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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1200V
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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45A
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（最高） @ ID、VgsのRds
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16.2mOhm @ 50A、18V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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5.15V @ 20mA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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149nC @ 18V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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4400pF @ 800V
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パワー最高
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20mW
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実用温度
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-40°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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シャーシの台紙
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パッケージ/場合
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モジュール
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製造者装置パッケージ
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AG-EASY1B
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DF8MR12W1M1HFB67BPSA1のパッケージの写真
在庫の他の電子部品
| 部品番号 | パッケージ |
| LM5018SD | QFN |
| CY7C1051DV33-12ZSXIT | TSOP-44 |
| EN6347QI | QFN |
| CSD17304Q3 | QFN |
| EN6360QI | QFN |
| TPS54620RGYR | QFN |
FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
コンタクトパーソン: Sales Manager
電話番号: 86-13410018555
ファックス: 86-0755-83957753
