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半分橋FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC MOSFETモジュール1200V自動車IGBTモジュール

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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半分橋FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC MOSFETモジュール1200V自動車IGBTモジュール

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大画像 :  半分橋FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC MOSFETモジュール1200V自動車IGBTモジュール

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: FF8MR12W2M1B11BOMA1
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: モジュール
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

半分橋FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC MOSFETモジュール1200V自動車IGBTモジュール

記述
部品番号: FF8MR12W2M1B11BOMA1 IDRM: 300a
COSSの蓄積エネルギー: 264 µJ パッケージ/場合: モジュール
(最高) @ ID、VgsのRds: 7.5mOhm @ 150A、15V (タイプ) 脈打った下水管の流れ: 300a

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FF8MR12W2M1B11BOMA1の製品の説明

FF8MR12W2M1B11BOMA1は1200ボルトのCoolSiC™ MOSFET、NTCの温度検出器が付いている8つのmΩ半橋モジュールおよびPressFIT接触の技術である。


FF8MR12W2M1B11BOMA1の指定

部品番号 FF8MR12W2M1B11BOMA1
シリーズ
CoolSiC™+
技術
炭化ケイ素(SiC)
(最高) @ ID、VgsのRds
7.5mOhm @ 150A、15V (タイプ)
実用温度
-40°C | 150°C (TJ)
製造者装置パッケージ
AG-EASY2BM-2

 

FF8MR12W2M1B11BOMA1の特徴

  • 高い電流密度
  • より高い頻度操作
  • 低い帰納的設計
  • 努力を冷却することを減らされるのための高性能

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
UEI30-150-Q12P DC-DC
SKY13489-001 QFN
RT9164A-15GG SOT-223
NAS7825-AABCF BGA
SKY13286-359LF QFN
ACPM-7081-TR1 QFN

 

FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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