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自動車IGBTモジュールFF45MR12W1M1B11BOMA1はモジュール1200V CoolSiC MOSFET二倍になる

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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自動車IGBTモジュールFF45MR12W1M1B11BOMA1はモジュール1200V CoolSiC MOSFET二倍になる

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自動車IGBTモジュールFF45MR12W1M1B11BOMA1はモジュール1200V CoolSiC MOSFET二倍になる 自動車IGBTモジュールFF45MR12W1M1B11BOMA1はモジュール1200V CoolSiC MOSFET二倍になる

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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: FF45MR12W1M1B11BOMA1
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: モジュール
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

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記述
部品番号: FF45MR12W1M1B11BOMA1 DCの下水管の流れ: 25A
ゲートの境界の電圧(タイプ): 4.5V 実用温度(分): -40°C (TJ)
実用温度(最高): 150°C (TJ) 源の電圧(Vdss)への雨: 1200V (1.2kV)

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FF45MR12W1M1B11BOMA1の製品の説明

FF45MR12W1M1B11BOMA1はCoolSiCの™ MOSFET、温度の検出NTCおよびPressFITひだが付く技術を使用して二重1200V CoolSiC MOSFETモジュール、である。


FF45MR12W1M1B11BOMA1の指定

部品番号 FF45MR12W1M1B11BOMA1
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
62nC @ 15V
パワー最高
20mW (Tc)
実用温度
-40°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け
シャーシの台紙
パッケージ/場合
モジュール
製造者装置パッケージ
AG-EASY1BM-2

 
自動車IGBTモジュール特徴

  • 高い電流密度
  • 州の損失の優秀な切換えおよび
  • 低いインダクタンス設計
  • モジュールはRoHSに従う

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
LTC2668CUJ-16 QFN
XC0900A-20SR SMD
LNK616DG SOP-7
SSL2101T SOP
MP4032-2GS SOP
SN74CB3Q16211ZQLR BGA


FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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