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集積回路の破片35ns S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - 8入力/出力の記憶IC

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片35ns S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - 8入力/出力の記憶IC

集積回路の破片35ns S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - 8入力/出力の記憶IC
集積回路の破片35ns S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - 8入力/出力の記憶IC

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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: S70KS1283GABHI020
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 24-VBGA
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

集積回路の破片35ns S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - 8入力/出力の記憶IC

記述
部品番号: S70KS1283GABHI020 密度: 512MB
供給電圧: 1.7V | 2V データ・スループット: 400 Mbps
時計の周波数: 200 MHz メモリ形式: PSRAM

統合回路チップ 35ns S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - オクタル I/O メモリIC

 

S70KS1283GABHI020の製品説明

S70KS1283GABHI020は,スクラッチパッドまたはバッファリング目的のために拡張メモリを必要とする高性能組み込みシステムのための高速,低ピン数,低電力自動更新動的RAM (DRAM) である.

 

S70KS1283GABHI020の仕様

部品番号:

S70KS1283GABHI020

バス信号:

11

データバス:

8ビット

動作温度:

-40°C~105°C (TA)

選択可能な差分時計:

12 バスの信号

最大時計速度は:

200 MHz

 

特徴S70KS1283GABHI020から

  • DDR - 時計の両端でデータを転送する

  • 400 Mbps (3,200 Mbps) までデータ処理能力

  • 構成可能な爆発特性

 

他の供給品種

部分番号

パッケージ

ISO7310CQDRQ1

SOIC-8

INA250A3QPWRQ1

TSSOP16

INA138QPWRQ1

SOP-8

DS90UR916QSQ

QFN60

CDCEL937QPWRQ1

TSSOP-20

AMC1304M25QDWRQ1

SOP16

 

よくある質問

Q: 商品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A: はい,私たちはサンプルオーダーと小規模なオーダーをサポートします. サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q: 注文はどのように送りますか?安全ですか?
A: 我々は,DHL,Fedex,UPS,TNT,EMSなどの船でエクスプレスを使用します.我々は,また,あなたの提案されたスポンダーを使用することができます.商品は,良い梱包で安全を確保し,我々はあなたの注文に製品のダメージに対して責任を負います.
Q: 待ち時間はどうですか?
A: ストック部品は5日以内に出荷できます. ストックがない場合は,注文量に基づいてリード時間を確認します.

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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