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集積回路の破片512Mbit S80KS5123GABHB023 35ns 24-FBGAの記憶IC

認証
中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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集積回路の破片512Mbit S80KS5123GABHB023 35ns 24-FBGAの記憶IC

集積回路の破片512Mbit S80KS5123GABHB023 35ns 24-FBGAの記憶IC
集積回路の破片512Mbit S80KS5123GABHB023 35ns 24-FBGAの記憶IC

大画像 :  集積回路の破片512Mbit S80KS5123GABHB023 35ns 24-FBGAの記憶IC

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: S80KS5123GABHB023
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 24-VBGA
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

集積回路の破片512Mbit S80KS5123GABHB023 35ns 24-FBGAの記憶IC

記述
部品番号: S80KS5123GABHB023 データ・バス幅: 8ビット
構成: 8つのM X 8 メモリサイズ: 512Mbit
敏感な湿気: そうだ マウントタイプ: 表面マウント

統合回路チップ 512Mbit S80KS5123GABHB023 35ns 24-FBGAメモリIC

 

S80KS5123GABHB023の製品説明

S80KS5123GABHB023 トランザクションの期間を制限し,新しいトランザクションの開始時に追加的な初期アクセス遅延を許可します.メモリがリフレッシュ操作が必要であることを示す場合.

 

S80KS5123GABHB023の仕様

部品番号:

S80KS5123GABHB023

供給電圧 - マックス:

2V

供給電圧 - Min:

1.7V

供給電流 - マックス:

25 MA

最低動作温度:

- 40°C

最大動作温度:

+105C

 

特徴S80KS5123GABHB023から

  • 22mA/25mA 爆発的な読み書き電流消費

  • ハイブリッド睡眠モード

  • ディープ・パワー・ダウンモード

 

他の供給品種

部分番号

パッケージ

TLE7714G

SSOP52

TLE9832QV

VQFN48

TLE7259G

SOP-8

TLE7230G

SSOP24

TLE4263G

SOP8

TLE4250-2G

SOT-595

 

よくある質問

Q: 商品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A: はい,私たちはサンプルオーダーと小規模なオーダーをサポートします. サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q: 注文はどのように送りますか?安全ですか?
A: 我々は,DHL,Fedex,UPS,TNT,EMSなどの船でエクスプレスを使用します.我々は,また,あなたの提案されたスポンダーを使用することができます.商品は,良い梱包で安全を確保し,我々はあなたの注文に製品のダメージに対して責任を負います.
Q: 待ち時間はどうですか?
A: ストック部品は5日以内に出荷できます. ストックがない場合は,注文量に基づいてリード時間を確認します.

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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