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記憶IC S27KL0642GABHM023集積回路の破片64Mbit HyperBusのメモリー チップ

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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記憶IC S27KL0642GABHM023集積回路の破片64Mbit HyperBusのメモリー チップ

記憶IC S27KL0642GABHM023集積回路の破片64Mbit HyperBusのメモリー チップ
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大画像 :  記憶IC S27KL0642GABHM023集積回路の破片64Mbit HyperBusのメモリー チップ

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: S27KL0642GABHM023
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 24-VBGA
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

記憶IC S27KL0642GABHM023集積回路の破片64Mbit HyperBusのメモリー チップ

記述
部品番号: S27KL0642GABHM023 最高のクロック レート: 200 MHz
最高のアクセス時間(tACC): 35 ns 力モード: 雑種の休眠モード、深い力
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V 供給者のデバイスパッケージ: 24-FBGA (6x8)

メモリIC S27KL0642GABHM023 統合回路チップ 64Mbit ハイパーバス メモリチップ

 

製品説明S27KL0642GABHM023

S27KL0642GABHM023はHyperRAM (Self-Refresh DRAM) メモリーチップで,3.0V/1.8V,64Mbit,自動車用E (グレード1),パッケージは24FBGA (6x8) である.

 

仕様S27KL0642GABHM023

部品番号: S27KL0642GABHM023 単端時計 (CK): 11 バス信号
テクノロジー 38nm DRAM 記憶組織: 8M × 8
包装された爆発長さ: 64 バイト (32 クロック) データ出力: 400 Mbps まで (3200 Mbps)

 

特徴S27KL0642GABHM023

  • 200 MHz 最大クロックレート
  • 最大アクセス時間 (tACC): 35 ns
  • パワーモード:ハイブリッド睡眠モード,ディープパワーダウン
  • オプション DDR センターアライナインッド リーディング ストローブ (DCARS)
  • ハイブリッド オプション - 一回 巻き込み ラインナリー 爆発

 

他の供給品種

部分番号 パッケージ
STM32U575ZGT6 LQFP144
STM32U575ZIT6 LQFP-144
STM32U575ZIT6Q LQFP144
STM32U585CIU6 UFQFPN-48
STM32U585QII3 UFBGA132
STM32U585QII6Q UFBGA132

 

よくある質問

Q: 商品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A: はい,私たちはサンプルオーダーと小規模なオーダーをサポートします. サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q: 注文はどのように送りますか?安全ですか?
A: 我々は,DHL,Fedex,UPS,TNT,EMSなどの船でエクスプレスを使用します.我々は,また,あなたの提案されたスポンダーを使用することができます.商品は,良い梱包で安全を確保し,我々はあなたの注文に製品のダメージに対して責任を負います.
Q: 待ち時間はどうですか?
A: ストック部品は5日以内に出荷できます. ストックがない場合は,注文量に基づいてリード時間を確認します.

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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