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512Mbit記憶IC S80KS5123GABHV023集積回路の破片FBGA24のメモリー チップ

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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512Mbit記憶IC S80KS5123GABHV023集積回路の破片FBGA24のメモリー チップ

512Mbit記憶IC S80KS5123GABHV023集積回路の破片FBGA24のメモリー チップ
512Mbit記憶IC S80KS5123GABHV023集積回路の破片FBGA24のメモリー チップ

大画像 :  512Mbit記憶IC S80KS5123GABHV023集積回路の破片FBGA24のメモリー チップ

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: S80KS5123GABHV023
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: 24-VBGA
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

512Mbit記憶IC S80KS5123GABHV023集積回路の破片FBGA24のメモリー チップ

記述
部品番号: S80KS5123GABHV023 インターフェース: xSPIの(8の)インターフェイス
実用温度範囲-産業(i): – 40 °Cへの+85 °C アクセス時間: 35 ns
シリーズ: HYPERRAM™ メモリインターフェース: SPI -8入力/出力

512MbitメモリIC S80KS5123GABHV023 統合回路チップ FBGA24メモリチップ

 

製品説明S80KS5123GABHV023

S80KS5123GABHV023は,高速 CMOS,自動リフレッシュ DRAMで,xSPI (オクトル) インターフェースを有する.DRAM配列は,リフレッシュなしでデータを保持する静的セルを使用しているかのようにホストに表示されます.

 

仕様S80KS5123GABHV023

部品番号: S80KS5123GABHV023 テクノロジー 25nm DRAM
データバス: 8ビットデータバス メモリインターフェース: ハイパーバス
メモリサイズ: 512Mbit 選択可能な差分時計 (CK,CK#): 12 バスの信号

 

特徴S80KS5123GABHV023

  • インターフェース:xSPI (オクターブ) インターフェース
  • 双方向読み書きデータストロブ (RWDS)
  • DDR - 時計の両端でデータを転送する
  • 作業温度範囲 - 工業用 (I): 〜40 °C〜+85 °C

 

他の供給品種

部分番号 パッケージ
STM32U585AII6Q UFBGA-169
STM32F732IET6 LQFP176
STM32F732RET6 QFP64
STM32F732VET6 LQFP100
STM32F732ZET6 LQFP144
STM32F778AIY6 WLCSP-180

 

よくある質問

Q: 商品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A: はい,私たちはサンプルオーダーと小規模なオーダーをサポートします. サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q: 注文はどのように送りますか?安全ですか?
A: 我々は,DHL,Fedex,UPS,TNT,EMSなどの船でエクスプレスを使用します.我々は,また,あなたの提案されたスポンダーを使用することができます.商品は,良い梱包で安全を確保し,我々はあなたの注文に製品のダメージに対して責任を負います.
Q: 待ち時間はどうですか?
A: ストック部品は5日以内に出荷できます. ストックがない場合は,注文量に基づいてリード時間を確認します.

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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