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Mosfetの配列SiC力モジュールMSCSM170AM058CT6LIAG自動車IGBTのモジュール

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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Mosfetの配列SiC力モジュールMSCSM170AM058CT6LIAG自動車IGBTのモジュール

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Mosfetの配列SiC力モジュールMSCSM170AM058CT6LIAG自動車IGBTのモジュール

大画像 :  Mosfetの配列SiC力モジュールMSCSM170AM058CT6LIAG自動車IGBTのモジュール

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Original Factory
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: MSCSM170AM058CT6LIAG
お支払配送条件:
最小注文数量: 10
価格: Contact for Sample
パッケージの詳細: モジュール
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

Mosfetの配列SiC力モジュールMSCSM170AM058CT6LIAG自動車IGBTのモジュール

記述
部品番号: MSCSM170AM058CT6LIAG 入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds: 19800pF @ 1000V
技術: シック 抵抗の下水管源: 3.9mΩ
ゲートの境界の電圧: 3.3V ゲート源の漏出流れ: 900nA

Mosfetの配列SiC力モジュールMSCSM170AM058CT6LIAG自動車IGBTのモジュール

 

MSCSM170AM058CT6LIAGの製品の説明

MSCSM170AM058CT6LIAGはピーク電流の10Aまで提供する。この高度のゲート ドライブ中心はPWM信号および欠陥のフィードバックのための隔離されたDC/DCのコンバーターそして低いキャパシタンス分離の障壁を含んでいる。

 

MSCSM170AM058CT6LIAG指定

部品番号:

MSCSM170AM058CT6LIAG

Rds:

5mOhm

脈打った下水管の流れ:

1000A

抵抗の下水管源:

6.8mΩ

VDS:

0V

入れられたキャパシタンス:

29.7nF

 

MSCSM170AM058CT6LIAG適用

  • 頑丈な車

  • 誘導加熱

  • 補助動力装置

 

他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ

KSZ8873MMLI

LQFP64

LTC3220EPF

QFN28

LPC2129FBD64

LQFP64

LT3988EMSE

MSOP16

TMS320F28032PAGT

TQFP64

MB85RS2MTPF

SOP-8

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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