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商品の詳細:
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| 部品番号: | MSCSM170HM23CT3AG | 電力損失TC = 25 °C: | 602W （最高） |
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| 抵抗の下水管源（最高）: | 22.5mΩ | ゲート源の漏出流れ（VGS = 20ボルト;VDS = 0 V）: | 200nA （最高） |
| 内部ゲートの抵抗（タイプ）: | 2.93Ω | 接続点に場合の熱抵抗（最高）: | 0.25°C/W |
4NチャネルMosfetの配列MSCSM170HM23CT3AG完全な橋SiC MOSFET力モジュール602W
MSCSM170HM23CT3AGの製品の説明
MSCSM170HM23CT3AGは完全な橋SiC MOSFET力モジュール、1700ボルトの124 Aの炭化ケイ素（SiC） Mosfetの配列モジュールである。
MSCSM170HM23CT3AGの指定
| 部品番号 | MSCSM170HM23CT3AG |
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技術
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炭化ケイ素（SiC）
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構成
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4 N-Channel （完全な橋）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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1700V （1.7kV）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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124A （Tc）
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（最高） @ ID、VgsのRds
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22.5mOhm @ 60A、20V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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3.2V @ 5mA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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356nC @ 20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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6600pF @ 1000V
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パワー最高
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602W （Tc）
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実用温度
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-40°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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シャーシの台紙
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パッケージ/場合
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モジュール
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MSCSM170HM23CT3AGの電気設計図
他の供給の製品タイプ
| 部品番号 | パッケージ |
| UCC24610DRBR | SON8 |
| TPS65286RHDR | VQFN28 |
| ADS1294IPAG | TQFP64 |
| DS90LV017ATMX | SOP-8 |
| NTD4906NT4G | TO-252 |
| EL5420CRZ | TSSOP14 |
FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。
コンタクトパーソン: Sales Manager
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ファックス: 86-0755-83957753
